半導體刻蝕：芯片制造核心設備，國產化典范

刻蝕主要負責去除特定區(qū)域的材料從而形成微小的結構圖案，與光刻、薄膜沉積并稱為半導體制造三大核心設備，占半導體前道設備價值總量的22%，地位舉足輕重。等離子體干刻是目前刻蝕的主流方案，包括ICP和CCP兩大類，ICP可用于硅、金屬以及部分介質刻蝕，CCP主要用于介質刻蝕，兩者市占率平分秋色。

隨著晶體管尺寸不斷縮小，對刻蝕的精準度要求更高，原子層刻蝕（ALE）登場，其可以看做是ALD的鏡像過程，具備自停止屬性，刻蝕精度達單原子層級，已經應用于自對準接觸等需原子級精密控制的工藝中，頗具潛力。

全球刻蝕設備市場屬于寡頭壟斷格局，LAM、TEL、AMAT三巨頭長期占據全球九成以上的市場份額，LAM一家市占率就接近五成，壟斷性強。然而，刻蝕也是國內率先取得突破的半導體核心設備，已成功打破海外壟斷進入國際市場，2015年，美國商務部取消了等離子體刻蝕機對中國的出口控制，側面印證了國內刻蝕設備已經取得突破。

中微公司、北方華創(chuàng)、屹唐股份等廠商在刻蝕設備的國產化方面做出了突出貢獻?？傮w看，國內刻蝕設備成功打破海外壟斷，達到國際先進水平，是國產替代的典范。

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