為追趕臺積電，傳三星擬砸逾100億美元赴美建先進制程晶圓廠
1月25日消息，據(jù)彭博近日披露，韓國三星電子考慮斥資逾100 億美元在美國興建最先進邏輯晶片廠，盼拿下更多美國訂單，及迎頭趕上對手臺積電。
彭博引述消息人士報導，全球最大記憶體晶片和智慧型手機制造商三星電子目前正討論在德州奧斯?。ˋustin）設廠，未來將能夠生產(chǎn)3奈米先進制程晶片。三星投資計畫目前還在初步階段，可能還會有變化。
這座新廠目前目標是今年動工，明年起安裝主要設備，最早2023 年開始生產(chǎn)。投資金額可能有變，但從計畫來看，投資規(guī)模至少100 億美元。
由于美國政府齊心協(xié)力對抗中國經(jīng)濟勢力崛起，以及吸引一些過去數(shù)10年將重心轉向亞洲的先進制造業(yè)者返國，三星電子利用情勢大力在美投資。美方希望這類回流的制造基地可以帶動地方商機，同時支持美國產(chǎn)業(yè)和晶片設計業(yè)。
另一方面，美國半導體業(yè)巨擘英特爾（Intel）的先進晶片制程不斷遇阻，未來至少有部分晶片生產(chǎn)恐得仰賴臺積電和三星，凸顯了亞洲晶片業(yè)巨擘近年來突飛猛進的發(fā)展。
彭博引述未具名消息人士表示，三星計畫中的新廠將是他們在美國首座采用極紫外光（EUV）微影制程的晶片廠。極紫外光是下一代晶片標準制程。
三星電子在彭博詢問美國設廠消息時，以電郵回覆表示，公司尚未做成決定。
韓國券商HMC Securities 資深副總裁葛瑞格?盧（Greg Roh，譯音）表示：“三星若真要實現(xiàn)在2030 年以前成為頂尖晶片制造商的目標，就必須在美國大力投資，以迎頭趕上臺積電?！?/p>
“臺積電的亞利桑那州廠很可能持續(xù)朝3奈米制程邁進，三星的廠也可能一樣。目前一大挑戰(zhàn)是確保取得極紫外光制程設備，因為海力士（Hynix）和美光（Micron）也想采購這些設備?！?/p>
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