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復(fù)盤半導(dǎo)體第一次跨越：估值提升主導(dǎo)，國產(chǎn)替代全面提速大方向確立。2019-2020H1，電子板塊漲幅為 117.4%，半導(dǎo)體板塊實(shí)現(xiàn)大漲， 漲幅為 226.4%。從 PE 與歸母凈利潤對指數(shù)的相對貢獻(xiàn)來看，PE 貢 獻(xiàn)程度大于歸母凈利潤貢獻(xiàn)度，半導(dǎo)體指數(shù)大漲主要源于估值中樞 上移，而估值中樞的提升主要有三大因素：

（1）華為、中芯等事件 性影響凸顯國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈自主可控的必要性和緊迫性，國產(chǎn)替 代是國內(nèi)半導(dǎo)體發(fā)展的最大推動(dòng)力；

（2）半導(dǎo)體行業(yè)景氣度持續(xù)提 升，產(chǎn)能持續(xù)向中國大陸轉(zhuǎn)移；

（3）國家政策、資金持續(xù)加大力度， 支持國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展保駕護(hù)航。 

半導(dǎo)體的第二次跨越：業(yè)績主導(dǎo)，業(yè)績兌現(xiàn)和行業(yè)景氣度是核心影響 要素。2021Q1 之后，華為禁令等事件對供應(yīng)鏈預(yù)期和業(yè)績的影響全 面落地，半導(dǎo)體板塊迎來反轉(zhuǎn)行情。我們認(rèn)為半導(dǎo)體的第二次跨越 與第一次相比會有明顯不同：2019-2020H1 半導(dǎo)體板塊是普漲行情， 但本輪行情將會呈現(xiàn) K 型分化走勢，業(yè)績兌現(xiàn)能力強(qiáng)、產(chǎn)業(yè)趨勢向 好、競爭格局優(yōu)良的半導(dǎo)體細(xì)分領(lǐng)域龍頭將引領(lǐng)半導(dǎo)體板塊持續(xù)上漲。

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行業(yè)景氣度方面：（1）汽車處于變革大時(shí)代，汽車半導(dǎo)體有望 站上歷史的進(jìn)程，迎來歷史性的發(fā)展機(jī)遇。根據(jù) IHS 數(shù)據(jù)，2020 年 全球汽車半導(dǎo)體市場規(guī)模為 380 億美元，受益于汽車行業(yè)“三化”趨勢，預(yù)計(jì) 2026 年將達(dá)到 676 億美元；（2）全球半導(dǎo)體持續(xù)缺貨，上 下游產(chǎn)業(yè)鏈持續(xù)景氣。根據(jù) WSTS 最新數(shù)據(jù)，2021 年全球半導(dǎo)體市 場增長率由原本預(yù)估的 10.9%大幅上修至 19.7%，市場規(guī)模將創(chuàng)歷史 新高，達(dá) 5272.23 億美元，并預(yù)計(jì) 2022 年將增長至 5734.40 億美元 （+8.8%）。我們認(rèn)為半導(dǎo)體缺貨對國內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈影響不一，整體而言， 半導(dǎo)體缺貨給了國內(nèi)廠商難得的“試錯(cuò)”機(jī)會，國內(nèi)半導(dǎo)體廠商迎來 產(chǎn)業(yè)鏈導(dǎo)入良機(jī)。 

半導(dǎo)體引領(lǐng)主線：汽車半導(dǎo)體、核心設(shè)備和材料、射頻與模擬等細(xì)分方向。汽車半導(dǎo)體：汽車“三化”趨勢將會推動(dòng)產(chǎn)業(yè)鏈價(jià)值重構(gòu)，汽 車半導(dǎo)體增長主要體現(xiàn)在：其一，功率器件（含碳化硅）；其二， MCU、SoC 等主控芯片；其三，存儲芯片；其四，傳感器；其五， 模擬芯片等。

當(dāng)前，汽車行業(yè)處于快速發(fā)展階段，國內(nèi)汽車半導(dǎo)體與國外差距較大，國內(nèi)汽車半導(dǎo)體龍頭企業(yè)有望借行業(yè)發(fā)展與國產(chǎn) 替代東風(fēng)實(shí)現(xiàn)快速崛起；核心設(shè)備和材料：半導(dǎo)體設(shè)備和材料是國 內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展基石，在芯片缺貨背景下，國內(nèi)晶圓產(chǎn)能持續(xù)擴(kuò)張，國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備和材料龍頭企業(yè)將會充分受益于下游行業(yè)大發(fā) 展以及國產(chǎn)替代的全面推進(jìn)；模擬和射頻領(lǐng)域：模擬芯片具有長生命周期、周期性特點(diǎn)，長坡后雪，是優(yōu)質(zhì)的半導(dǎo)體細(xì)分領(lǐng)域。射頻芯片行業(yè)得益于 5G、IOT 的推動(dòng)快速發(fā)展，市場處于快速發(fā)展階段。模擬和射頻行業(yè)壁壘較高，競爭格局良好，國內(nèi)龍頭公司有望受益 于國產(chǎn)替代大趨勢實(shí)現(xiàn)持續(xù)穩(wěn)健增長。 

行業(yè)評級：半導(dǎo)體國產(chǎn)替代是大勢所趨，在行業(yè)景氣上行大背景下， 業(yè)績兌現(xiàn)能力強(qiáng)、競爭格局優(yōu)良的細(xì)分行業(yè)龍頭公司有望引領(lǐng)半導(dǎo) 體行業(yè)持續(xù)上漲，半導(dǎo)體將迎來第二波跨越，給予行業(yè)“推薦”評級。

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復(fù)盤半導(dǎo)體第一次跨越：估值提升主導(dǎo)，

國產(chǎn)替代全面提速大方向確立

1.1、 電子板塊迎景氣周期，半導(dǎo)體漲幅遙遙領(lǐng)先

2019-2020H1 電子行業(yè)板塊漲幅遠(yuǎn)超同期滬深 300 指數(shù)漲幅。2019 年初至 2020H1，滬深 300 指數(shù)漲幅 40.2%，電子板塊漲幅為 117.4%，遠(yuǎn)超滬深 300 指 數(shù)漲幅，電子行業(yè)整體景氣度快速提升。

2019-2020H1 半導(dǎo)體行業(yè)漲幅領(lǐng)跑電子行業(yè)，實(shí)現(xiàn)第一次指數(shù)上的跨越。以 2019 年初價(jià)格指數(shù) 100 為基數(shù)，對申萬一級電子行業(yè)及申萬二級電子行業(yè)進(jìn)行 統(tǒng)計(jì)分析。2019 年初至 2020H1，電子行業(yè)漲幅為 117.4%，其中半導(dǎo)體漲幅為 226.9%，其他電子漲幅為 92.0%，件 II 漲幅為 101.8%，光學(xué)光電子漲幅為 60.8%， 電子制造 II 漲幅為 141.6%。

1.2、 2019-2020H1 半導(dǎo)體指數(shù)上行主要源于估值提升

多因素助推國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣度持續(xù)上行，自主可控是主要驅(qū)動(dòng)力。2019 年初至 2020 中旬半導(dǎo)體板塊大漲的主要原因?yàn)椋?/span>

（1）華為、中芯等事件性影響 凸顯國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈自主可控的必要性和緊迫性，國產(chǎn)替代是國內(nèi)半導(dǎo)體發(fā)展 的最大推動(dòng)力；

（2）半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)入景氣周期，產(chǎn)業(yè)持續(xù)東移的同時(shí)國產(chǎn)化率仍 較低，國產(chǎn)化空間廣闊；

（3）國內(nèi)政策、資金持續(xù)加大力度支持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

（1）華為、中芯等事件凸顯國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈自主可控的必要性和緊迫性， 國產(chǎn)替代是國內(nèi)半導(dǎo)體發(fā)展的最大推動(dòng)力。2018 年美國對中興通訊發(fā)起制裁， 2019-2020 年間，美國多次對華為進(jìn)行制裁，從最初的禁令名單限制到最終完全 限制華為向第三方采購芯片，一系列制裁迫使華為芯片斷供，手機(jī)業(yè)務(wù)分拆。此 外，美方更進(jìn)一步升級對中芯國際的制裁，嚴(yán)重限制了中國半導(dǎo)體先進(jìn)制程的發(fā) 展，國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈自主可控迫在眉睫。

（2）半導(dǎo)體行業(yè)景氣度持續(xù)提升，產(chǎn)能持續(xù)向中國大陸轉(zhuǎn)移。進(jìn)入 5G 時(shí) 代，半導(dǎo)體行業(yè)新的上行周期開啟，中國作為全球 5G 建設(shè)的領(lǐng)軍企業(yè)，5G 基 站的建設(shè)速度全面領(lǐng)先，受益于 5G 鋪開，5G 下游包括醫(yī)療、汽車、工業(yè)、消 費(fèi)電子多個(gè)領(lǐng)域的新興應(yīng)用快速成長，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展空間進(jìn)一步打開。

產(chǎn)業(yè)東移帶來大量產(chǎn)業(yè)鏈配套需求。過去幾十年，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈經(jīng)歷了 兩次轉(zhuǎn)移，一次是 1970s，從美國轉(zhuǎn)移至日本，日本半導(dǎo)體崛起，一度成為全球 最大芯片出口國；后美國限制、干預(yù)了日本半導(dǎo)體的發(fā)展，在 1990s 出現(xiàn)了第二 次產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移，韓國三星、中國臺灣臺積電等廠商迅速崛起；如今，隨著中國市場 廣闊的半導(dǎo)體需求以及晶圓制造產(chǎn)能的擴(kuò)張，中國大陸正承接第三次半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 轉(zhuǎn)移，晶圓產(chǎn)能份額持續(xù)提升，優(yōu)質(zhì)本土企業(yè)迅速涌現(xiàn)。

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)本土化率仍較低，國產(chǎn)替代空間廣闊。2015-2019 年，中國集成 電路銷售額從 3609.8 億元增至 7562.3 億元，中國集成電路進(jìn)口額從 2299.28 億 美元增至 3055.5 億美元，國產(chǎn)化率從 25.21%提升至 35.88%，盡管國產(chǎn)化率顯著 提升，但是我國本土企業(yè)主要集中在后段的封測環(huán)節(jié)，在關(guān)鍵的晶圓制造、IC 設(shè)計(jì)、設(shè)備和材料等領(lǐng)域，國產(chǎn)替代空間依然廣闊。

（3）國家政策、資金持續(xù)加大力度，支持國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。在半導(dǎo)體 行業(yè)景氣度提升以及美國制裁持續(xù)的大背景下，國內(nèi)在半導(dǎo)體相關(guān)政策端利好不 斷，具體措施包括投資補(bǔ)助、稅收優(yōu)惠等，為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展保駕護(hù)航。

國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金牽頭注資，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基本實(shí)現(xiàn)“不差錢”。從資本 端投入來看，2014 年國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金一期股份有限公司成立，投資 1387 億元；2019 年 10 月，國家大基金二期成立，注冊資本 2041.5 億元。國家 資本的投入帶動(dòng)民間資本持續(xù)流入半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)“不差錢”。根據(jù) Wind 數(shù)據(jù)，2019 年及 2020H1 半導(dǎo)體企業(yè)的 IPO、可轉(zhuǎn)債、定增融資額分別達(dá)到 643 億元、313 億元；2020 年投融資事件相比 2019 年近乎翻倍達(dá)到 413 件。

半導(dǎo)體板塊指數(shù)上漲歸因分析：2019-2020H1 半導(dǎo)體指數(shù)上升主要來源于估值提升，2020Q3-2021Q1 指數(shù)震蕩源于業(yè)績兌現(xiàn)與估值的消化。股價(jià)可以拆分 為歸母凈利潤和 PE 的乘積，我們對 2019 初至今的申萬半導(dǎo)體行業(yè) PE(TTM)及 歸母凈利潤(TTM)的數(shù)據(jù)進(jìn)行處理，運(yùn)用兩個(gè)因子的相對貢獻(xiàn)率進(jìn)行歸因分析， 即估值（PE）因子貢獻(xiàn)率、歸母凈利潤因子貢獻(xiàn)率相乘得出對市值上漲的貢獻(xiàn) 率為 100%，若一個(gè)因子貢獻(xiàn)率大于 100%則說明該段時(shí)間指數(shù)上漲更多來源于 該因子驅(qū)動(dòng)，小于 100%則說明該因子對指數(shù)上漲貢獻(xiàn)相對更小，2019 年至今估值因素和業(yè)績因素對股價(jià)的相對貢獻(xiàn)率對比，2019-2020H1，估值貢獻(xiàn) 率>100%>歸母凈利潤貢獻(xiàn)率，說明 2019-2020H1 半導(dǎo)體指數(shù)上漲主要來源于估 值提升而非業(yè)績上漲，而 2020Q3-2021Q1 的指數(shù)震蕩則來源于業(yè)績和估值的此 漲彼消，業(yè)績是這段時(shí)間指數(shù)沒有繼續(xù)下跌的主要支撐。

1.3、 2020Q3-2021Q1 震蕩行情下業(yè)績和估值此漲彼消

2020Q3-2021Q1 全球半導(dǎo)體景氣度持續(xù)高漲，而申萬半導(dǎo)體板塊持續(xù)震蕩，形成鮮明反差。2020H2 以來伴隨著需求的逐步恢復(fù)，全球半導(dǎo)體需求旺盛，處 于供不應(yīng)求的態(tài)勢，行業(yè)高度景氣。以 2020 年 7 月 15 日作為基期，截至 2021 年 3 月 14 日，費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)累計(jì)漲幅達(dá) 43.65%，同期國內(nèi)申萬半導(dǎo)體板塊指 數(shù)累計(jì)下跌 17.53%，國內(nèi)外半導(dǎo)體指數(shù)分化顯著。

2020Q3-2021Q1 半導(dǎo)體板塊的震蕩主要源于事件性影響以及估值的消化：我們判斷分化明顯主要有以下原因：

（1）事件影響：華為禁令等事件性影響對市 場的預(yù)期影響已經(jīng)反映，但是對產(chǎn)業(yè)鏈上市公司業(yè)績的影響并未完全體現(xiàn)，事件 性影響對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展造成了較大的不確定性，基于此，我們先前報(bào)告判斷 2021Q1 為半導(dǎo)體板塊重要時(shí)間點(diǎn)；

（2）板塊估值消化：基期申萬半導(dǎo)體指數(shù) PE TTM 為 161.59 倍，費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù) PE TTM 為 26.80 倍，當(dāng)前申萬半導(dǎo)體指數(shù) PE TTM 為 85.87 倍，費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù) PE TTM 為 32.45 倍，國內(nèi)半導(dǎo)體指數(shù)整 體估值明顯高于美國費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)，估值消化是板塊震蕩分化的重要原因。

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半導(dǎo)體第二次跨越：業(yè)績主導(dǎo)，業(yè)績兌現(xiàn)

和行業(yè)景氣度是核心影響要素

2.1、 2021Q1 至今半導(dǎo)體板塊表現(xiàn)亮眼，業(yè)績持續(xù)兌現(xiàn) 能力較高的細(xì)分龍頭引領(lǐng)此輪行情

國產(chǎn)替代預(yù)期業(yè)績兌現(xiàn)，半導(dǎo)體表現(xiàn)亮眼。相比于電子行業(yè)其他板塊，半導(dǎo) 體板塊業(yè)績持續(xù)高速增長。我們可以看到，2020Q1 至今，半導(dǎo)體營收單季度營 業(yè)收入同比增幅持續(xù)提升，從 2020Q1 的同比增長 20.04%提升至 2021Q1 的 93.06%。同期，半導(dǎo)體板塊單季度歸母凈利潤同比增速從 180.03%升至 202.84%， 國產(chǎn)替代邏輯在業(yè)績上持續(xù)快速兌現(xiàn)。

以 2019 年初為基期，半導(dǎo)體行業(yè)累計(jì) PE 漲幅于 2020 年中旬出現(xiàn)高點(diǎn)，隨 后回調(diào)，高估值逐漸消化，累計(jì)單季度歸母凈利潤漲幅不斷上行，國產(chǎn)替代預(yù)期 逐步反映?？偨Y(jié)來說，2019-2020H1 半導(dǎo)體指數(shù)上行主要源于估值的提升，而 2020Q3-2021Q1 指數(shù)震蕩則主要是華為、中芯等事件性影響及估值的消化的結(jié)果。

2021Q1 至今半導(dǎo)體板塊表現(xiàn)亮眼，大幅跑贏滬深 300 指數(shù)。以 2021 年 4 月 1 日為基期，截至 2020 年 6 月 27 日，申萬半導(dǎo)體指數(shù)累計(jì)上漲 34.88%，滬 深 300 指數(shù)累計(jì)上漲 2.53%，2021Q2 半導(dǎo)體指數(shù)跑贏滬深 300 指數(shù) 32.35 個(gè)百分 點(diǎn)。

本輪行情呈現(xiàn) K 型分化走勢，產(chǎn)業(yè)趨勢和競爭格局良好、行業(yè)壁壘較高的各細(xì)分板塊龍頭表現(xiàn)亮眼。我們先前判斷，2021Q1 為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)重要的時(shí)間節(jié) 點(diǎn)，華為、中芯等事件對供應(yīng)鏈預(yù)期和業(yè)績上的影響全面落地。

事實(shí)上，半導(dǎo)體 板塊從 2021Q1 開始表現(xiàn)亮眼，迎來反轉(zhuǎn)行情。我們梳理了 2020Q1 至今 （2021-06-27）申萬半導(dǎo)體漲幅表現(xiàn)較好的個(gè)股（我們選取市值大于 100 億的個(gè) 股，同時(shí)剔除新股，以剔除擾動(dòng)因素），其中，LED 驅(qū)動(dòng)芯片企業(yè)表現(xiàn)亮眼，富滿電子、晶豐明源主要產(chǎn)品均為 LED 驅(qū)動(dòng)類芯片，2020 年下半年開始的缺芯持續(xù)至今，主要表現(xiàn)為 8 英寸產(chǎn)能的緊缺，LED 芯片、電源管理類芯片、低端 MCU 等產(chǎn)品尤為緊缺，該類產(chǎn)品行業(yè)景氣指數(shù)在半導(dǎo)體板塊中相對較高，因此市場給予較高的預(yù)期。

而以士蘭微、斯達(dá)半導(dǎo)、華潤微、捷捷微電、北京君正等為代 表的汽車半導(dǎo)體企業(yè)在電動(dòng)車持續(xù)景氣的大背景下，表現(xiàn)亮眼；卓勝微作為國內(nèi)射頻前端器件領(lǐng)域龍頭企業(yè)，所處賽道市場空間廣闊、行業(yè)壁壘較高、競爭格局良好，同樣表現(xiàn)優(yōu)異；此外，半導(dǎo)體設(shè)備和材料方面，受益于國內(nèi)晶圓擴(kuò)產(chǎn)大潮 持續(xù)推動(dòng)，國內(nèi)半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備龍頭北方華創(chuàng)、半導(dǎo)體材料平臺型巨頭雅克科技 業(yè)績增長具備較高確定性，同樣獲得了較大漲幅。我們認(rèn)為華為、中芯等事件后， 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈自主可控的必要性和緊迫性凸顯，中短期而言，本輪行情將會呈現(xiàn) K 型分化走勢，產(chǎn)業(yè)趨勢、競爭格局以及技術(shù)壁壘是核心影響要素；長期而言， 半導(dǎo)體行業(yè)仍然是未來 3-5 年的科技投資主線。

2.2、 下游需求旺盛+行業(yè)高景氣,半導(dǎo)體第二次跨越在路上

2.2.1、汽車半導(dǎo)體：變革大時(shí)代，汽車半導(dǎo)體有望站上歷史的進(jìn)程

汽車電子器件種類多樣，汽車芯片應(yīng)用廣泛。汽車電子包括車體電子控制裝 置和車載電子控制裝置，前者需要和汽車機(jī)械系統(tǒng)配合，后者能夠獨(dú)立使用。汽 車電子控制技術(shù)及系統(tǒng)的綜合性能，直接影響整車的動(dòng)力性、舒適性、操縱穩(wěn)定 性和經(jīng)濟(jì)性等，是現(xiàn)代汽車的靈魂。隨著汽車電動(dòng)化與智能化，電動(dòng)汽車和無人 駕駛發(fā)展迅猛，相應(yīng)的輔助駕駛系統(tǒng) ADAS、電池管理系統(tǒng) BMS 等被廣泛應(yīng)用， 汽車中配置的電子零組件占比越來越高，與物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子等應(yīng)用相關(guān)的器件， 如模擬芯片、邏輯芯片、存儲芯片、微控制器芯片、分立器件、光學(xué)半導(dǎo)體、傳 感器和執(zhí)行器等，都成為各大半導(dǎo)體廠商（包括 IDM 和 Fabless）重點(diǎn)布局的領(lǐng) 域，據(jù)測算平均每輛車搭載半導(dǎo)體為 1600 個(gè)。汽車上下游產(chǎn)業(yè)鏈芯片主要分為 環(huán)境感知層、決策控制層、網(wǎng)絡(luò)通信層、人機(jī)交互層和電氣電力層五大方面，廣 泛應(yīng)用于下游乘用車、商用車等主機(jī)廠和 OTA、信息安全、新能源充換電等應(yīng) 用服務(wù)。

電動(dòng)化、智能化、網(wǎng)聯(lián)化是汽車行業(yè)大勢所趨。

電動(dòng)化：由于電動(dòng)車機(jī)械 結(jié)構(gòu)較傳統(tǒng)燃油車更簡單，電機(jī)較內(nèi)燃機(jī)能量利用率更高，其動(dòng)力鋰電池成本、 續(xù)航里程和充電配套設(shè)施等問題正逐步得到優(yōu)化，特別是在碳達(dá)峰、碳中和政策 背景下，全球各地陸續(xù)立法通過了燃油車禁售時(shí)間點(diǎn)，隨著特斯拉 model 3 和 model Y 等極具產(chǎn)品力車型進(jìn)入主流中端價(jià)位市場攻城略地帶來鯰魚效應(yīng)，各大 車企紛紛轉(zhuǎn)型加速布局新能源車。全球新能源車產(chǎn)量從 2014 年的 54.9 萬輛增至 2020 年的 324 萬輛，2014-2020 年 CAGR 為 42.62%，滲透率從 0.61%增至 4.24%；

智能化：智能汽車將通過搭載先進(jìn)傳感器等裝置，運(yùn)用人工智能等新技術(shù)，具有 自動(dòng)駕駛功能，逐步成為兼具娛樂、社交、工作屬性的智能移動(dòng)空間和應(yīng)用終端， 智能化由于其先進(jìn)的體驗(yàn)感將成為汽車變革下半頁，目前絕大部分整車廠商均在 布局智能化。實(shí)現(xiàn)智能化的關(guān)鍵和終極目標(biāo)是自動(dòng)駕駛技術(shù)，SAE 將自動(dòng)駕駛 水平分為 L0 級（純由駕駛員控制）至 L5 級（完全自動(dòng)駕駛），級別越高，車輛 自動(dòng)化程度越高；

網(wǎng)聯(lián)化：網(wǎng)聯(lián)化通過車聯(lián)網(wǎng)（V2X）對智能化（自動(dòng)駕駛技術(shù)、 智慧座艙）進(jìn)行了補(bǔ)充，車聯(lián)網(wǎng)（V2X）是實(shí)現(xiàn)車輛與周圍的車、人、交通基礎(chǔ) 設(shè)施和網(wǎng)絡(luò)等全方位連接和通信的新一代信息通信技術(shù)，IDC 數(shù)據(jù)顯示，2020 年全球智能網(wǎng)聯(lián)汽車出貨量約為 4440 萬輛，2024 年或達(dá) 7620 萬輛，2020-2024 年 CAGR 為 14.5%。

“三化”趨勢持續(xù)推動(dòng)汽車硅含量提升。汽車在向“三化”發(fā)展的同時(shí)，產(chǎn)業(yè)鏈 價(jià)值構(gòu)成也正發(fā)生劇變，與內(nèi)燃機(jī)相關(guān)的系統(tǒng)和元器件正在縮減，而三電（電池、 電驅(qū)、電控）的引入快速推升汽車硅含量。成本結(jié)構(gòu)上來看，傳統(tǒng)燃油車中發(fā)動(dòng)機(jī)、傳動(dòng)系統(tǒng)、車身、汽車電子、底盤、內(nèi)外飾一般分別占據(jù)總成本的 15%/10%/15%/15%/10%/10%；而常規(guī)電動(dòng)汽車中，電驅(qū)動(dòng)力系統(tǒng)主要由電池、 電機(jī)和電控組成，一般占 50%的價(jià)格成本，其中電池又占比 38%，電機(jī)占比 6.5%， 電控占比 5.5%，此外，底盤占比 14%，車身占比 5%，內(nèi)飾占比 15%，電子占 比 9%，其他占比 7%。

以 2019 年典型的某 L1 級豪華品牌燃油車為例，根據(jù)羅 蘭貝格測算，汽車電動(dòng)化推動(dòng)豪華品牌電池管理、電控系統(tǒng)電子元件單車價(jià)值凈 提升 2235 美元，自動(dòng)駕駛推動(dòng)豪華品牌單車電子元件價(jià)值量凈提升 925 美元， 數(shù)字互聯(lián)推動(dòng)豪華品牌單車電子電氣架構(gòu)相關(guān)元器件價(jià)值凈提升 725 美元，汽車 電子電氣相關(guān)的 BOM（物料清單）價(jià)值（不含電池與電機(jī)）將從 2019 年的 3145 美元提升至 2025 年的 7030 美元，單車增量達(dá) 3885 美元，增幅為 123.53%。

汽車半導(dǎo)體受益“三化”趨勢多點(diǎn)開花，各細(xì)分領(lǐng)域打開增量空間。根據(jù) IHS 數(shù)據(jù)，2020 年全球汽車半導(dǎo)體市場規(guī)模為 380 億美元，受益于汽車行業(yè)“三化” 趨勢，預(yù)計(jì)到 2026 年將達(dá)到 676 億美元，2020-2026 年 CAGR 為 10.08%。我國 作為汽車制造大國，汽車產(chǎn)量蟬聯(lián)全球第一，對汽車半導(dǎo)體需求同樣旺盛，2020 年中國汽車半導(dǎo)體市場規(guī)模約為 94 億美元，預(yù)計(jì)到 2030 年將達(dá)到 159 億美元， 2020-2030 年 CAGR 為 5.40%。具體拆分來看：

功率半導(dǎo)體：全球汽車功率半導(dǎo)體市場規(guī)模 2018 年為 90 億美元，隨著單車功 率器件價(jià)值以及電動(dòng)車滲透率繼續(xù)提升，預(yù)計(jì) 2023 年或達(dá) 136 億美元， 2018-2023 年 CAGR 為 8.61%；

計(jì)算和控制芯片：芯片算力提升將帶動(dòng)主控芯片價(jià)值量成長，2020 年汽車計(jì) 算和控制類芯片市場規(guī)模約為 108 億美元，預(yù)計(jì)到 2025 年增長至 164 億美元， 2020-2025 年 CAGR 為 8.71%；

存儲芯片：增量主要來源于汽車智能化帶來的數(shù)據(jù)存儲需求，2020 年全球汽 車存儲芯片的市場規(guī)模約為 40 億美元，預(yù)計(jì)到 2025 年或達(dá) 83 億美元， 2020-2025 年 CAGR 為 15.72%；

模擬芯片：電動(dòng)化、網(wǎng)聯(lián)化為電源管理芯片、射頻芯片帶來了增量需求，2019 年汽車模擬芯片市場規(guī)模為 98 億美元，預(yù)計(jì)到 2024 年達(dá)到 150 億美元， 2019-2024 年 CAGR 為 8.89%；

傳感器：我們測算到 2025 年汽車半導(dǎo)體傳感器市場增量將達(dá)到 31 億美元，增 量主要來源于車載 CIS、毫米波雷達(dá)、激光雷達(dá)等智能汽車標(biāo)配硬件。

低市場份額及高進(jìn)口依賴度，汽車半導(dǎo)體國產(chǎn)替代空間廣闊。全球半導(dǎo)體 市場的競爭格局來看，優(yōu)勢企業(yè)主要集中于美國、歐洲地區(qū)的德國、法國、荷蘭、 瑞士等國家，以及亞太地區(qū)的日本、韓國、中國和以色列等。恩智浦、瑞薩電子、 英飛凌、意法半導(dǎo)體、德州儀器等傳統(tǒng)汽車芯片巨頭具備豐富的產(chǎn)品布局和領(lǐng)先 的技術(shù)實(shí)力，2019 年占據(jù)全球汽車芯片 50%的市場份額。

由于設(shè)計(jì)、生產(chǎn)等方 面的技術(shù)差距較大，至今我國未形成具備國際競爭力的汽車芯片供應(yīng)商，在汽車 芯片領(lǐng)域的市場份額較低，整體來看，我國汽車芯片進(jìn)口依賴度超 90%，缺芯 背景下海外汽車芯片廠商供應(yīng)短缺增加了國內(nèi)廠商的供應(yīng)鏈導(dǎo)入機(jī)會，汽車半導(dǎo) 體國產(chǎn)替代進(jìn)程有望全面提速。我國汽車半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上已逐步涌現(xiàn)出以斯達(dá)半 導(dǎo)、北京君正、士蘭微、韋爾股份、聞泰科技等為代表的具備競爭力的企業(yè)。我 國汽車半導(dǎo)體優(yōu)秀企業(yè)有望借行業(yè)景氣周期與國產(chǎn)替代共振迅速崛起，縮短在各 領(lǐng)域的主要差距并不斷提升自主率。

2.2.2、5G 時(shí)代已來，硅含量持續(xù)提升

全球智能手機(jī)出貨量重回正增長。在連續(xù)兩個(gè)季度的正增長之后，IDC 近日提高了對全球智能手機(jī)市場的出貨量預(yù)測。IDC 全球季度手機(jī)追蹤顯示，2021 年，智能手機(jī)出貨量預(yù)計(jì)將達(dá)到 13.8 億臺，同比增長 7.7%，預(yù)計(jì) 2022 年出貨 量或達(dá) 14.3 億臺，同比增長 3.8%。總體來看，扣除 2020 年疫情特殊影響，未 來智能手機(jī)出貨量增長趨勢將逐步放緩，智能手機(jī)市場總體已步入存量競爭階段。

2021 年 5G 手機(jī)將繼續(xù)放量增長。2021 年 4 月，國內(nèi)市場 5G 手機(jī)出貨量 2142 萬部，占同期手機(jī)出貨量的 77.9%，市場占比持續(xù)增長。IDC 預(yù)測，2021 年全球 5G 手機(jī)出貨量將增長近 130％，預(yù)計(jì) 2021 年底，除中國以外的大部分國 家 5G 手機(jī)銷售量也都將迎來超過 3 位數(shù)的增長，中國 5G 手機(jī)市場份額將占據(jù) 全球近 50％，美國將緊隨其后，占有 16％的份額，而西歐和亞太地區(qū)（中國和 日本除外）將占據(jù)全球 5G 手機(jī)市場 23.1％的份額，總體來看，2021 年將是 5G 手機(jī)放量大增的一年。

5G 手機(jī)與 4G 手機(jī)相比，帶來更高的硅價(jià)值量。根據(jù) SUMCO 測算，5G 手 機(jī)對存儲和邏輯類芯片需求是原來 4G 的 1.7 倍。相比于 4G 手機(jī)，5G 手機(jī) DRAM 由 1-12GB 升級為 6-13GB，NAND 閃存由 8-512GB 升級至 128-512GB，AP（應(yīng) 用處理器）由 4-8 核升級為 8 核，圖像處理芯片由 1-7 個(gè)升級為 4-7 個(gè)。5G 手機(jī) 還需額外外掛一顆基帶芯片或集成于 AP 之中。SUMCO 測算，5G 手機(jī)相較于 4G 手機(jī)，12 寸晶圓需求量總體提升約 1.7 倍。根據(jù)韓國信息與通訊技術(shù)研究所稱，平均一部 4G 手機(jī)含有的半導(dǎo)體價(jià)值量為 126.1 美元，一部 5G 手機(jī)含有 的半導(dǎo)體價(jià)值量為 233.9 美元，增長將近 85%。

5G 基站建設(shè)正當(dāng)時(shí)，半導(dǎo)體器件量價(jià)齊升市場空間廣闊。根據(jù)《中國聯(lián)通 5G 無線網(wǎng)演進(jìn)策略研究》中對 3.5GHz 及 1.8GHz 在密集城區(qū)和普通城區(qū)覆蓋能 力的模擬測算，密集城區(qū)中 3.5GHz 頻段上行需要的基站數(shù)量是 1.8GHz 的 1.86 倍，普通城區(qū)中 3.5GHz 頻段上行需要的基站數(shù)量則是 1.8GHz 的 1.82 倍；從連 續(xù)覆蓋角度來看，5G 的基站數(shù)量是 4G 的 1.5-2 倍。

考慮到 5G 獨(dú)立組網(wǎng)和非獨(dú) 立組網(wǎng)的結(jié)合，預(yù)測 5G 基站總數(shù)將達(dá)到 4G 基站數(shù)的 1.3 至 1.5 倍。據(jù)工信部數(shù) 據(jù)，2020 年，中國新建開通 5G 基站超 60 萬個(gè)，終端連接數(shù)突破 2 億，全部已 開通 5G 基站超過 71.8 萬個(gè)，實(shí)現(xiàn)全國所有地級以上城市覆蓋，2021 年計(jì)劃繼 續(xù)建設(shè) 5G 基站 60 萬個(gè)，向有條件的縣鎮(zhèn)延伸。受益于 5G 基站高半導(dǎo)體價(jià)值及 建設(shè)數(shù)量增長，全球 5G 通信基礎(chǔ)設(shè)施市場規(guī)模有望大幅增長，以其中的射頻前 端市場為例，預(yù)計(jì)將從 2019 年的 152 億美元增長至 2025 年的 254 億美元， 2019-2025 年 CAGR 為 11%。

2.2.3、VR/AR：規(guī)模放量前夜，市場反饋良好

VR，即虛擬現(xiàn)實(shí)，指借助計(jì)算機(jī)系統(tǒng)及傳感器技術(shù)生成一個(gè)虛擬的 3D 環(huán) 境，創(chuàng)造出一種嶄新的人機(jī)交互狀態(tài)。實(shí)現(xiàn) VR 技術(shù)主要需要考慮模擬環(huán)境、感 知、傳感交互等方面。感知是指理想的 VR 應(yīng)該具有一切人所具有的感知。換言 之，除最基本的視覺之外，還有聽覺、觸覺、力覺、運(yùn)動(dòng)等感知，甚至還包括嗅 覺和味覺等，也稱為多感知。傳感交互旨在感知人的頭部轉(zhuǎn)動(dòng)，眼睛、手勢、或 其他人體行為動(dòng)作，由計(jì)算機(jī)進(jìn)行處理，并對用戶的輸入作出實(shí)時(shí)響應(yīng)、分別反 饋到用戶的五官。上述三維交互過程是達(dá)到 VR 理想的仿真標(biāo)準(zhǔn)的重要因素。

AR，即增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)，指將現(xiàn)實(shí)世界的景象與虛擬的物體相結(jié)合，通過投射裝 置，實(shí)現(xiàn)現(xiàn)實(shí)世界的虛擬疊加。攝像頭和傳感器采集真實(shí)場景的視頻或者圖像， 傳入處理單元對其進(jìn)行識別和生成數(shù)據(jù)模型，同時(shí)結(jié)合頭部跟蹤設(shè)備的數(shù)據(jù)來分 析虛擬場景和真實(shí)場景的相對位置，實(shí)現(xiàn)坐標(biāo)系的對齊并進(jìn)行虛擬場景的建模繪 制融合計(jì)算。設(shè)備采集外部控制信號實(shí)現(xiàn)交互操作，最終達(dá)到“虛實(shí)結(jié)合”效果。

VR/AR 產(chǎn)業(yè)鏈上包含芯片、捕捉/反饋設(shè)備、主機(jī)、系統(tǒng)/平臺、應(yīng)用/內(nèi)容 幾個(gè)層面。芯片領(lǐng)域主要供應(yīng)商為高通、AMD、英偉達(dá)、華為、德州儀器等；傳感器領(lǐng)域主要有意法半導(dǎo)體；顯示屏主要為三星、京東方、LG；整機(jī)品牌商 有 Oculus、索尼、HTC；在內(nèi)容方面，以游戲?yàn)槔兴髂?、游久、愷英網(wǎng)絡(luò)等。

VR/AR 作為當(dāng)前科技領(lǐng)域最熱門技術(shù)之一，被眾多科技公司和互聯(lián)網(wǎng)公司 爭相布局。根據(jù)華為《5G 時(shí)代十大應(yīng)用場景白皮書》，在與 5G 高度相關(guān)的下游 應(yīng)用中，無線家庭娛樂和云 VR/AR 領(lǐng)域具備廣闊的市場潛力，因此，VR/AR 市 場在 5G 時(shí)代有望大幅受益。VR 設(shè)備在 2016 年引起廣泛關(guān)注后步入資本寒冬的 主要原因?yàn)闊o線傳輸速率、傳輸時(shí)延、設(shè)備重量、電池容量、便攜度等方面的瓶 頸，隨著 5G 時(shí)代到來以及傳感器、芯片、電池集成化程度持續(xù)提升，VR 設(shè)備 的痛點(diǎn)被逐個(gè)擊破，市場需求有望重振。

AR/VR 正處于規(guī)模放量前夜。繼 2016 年虛擬現(xiàn)實(shí)產(chǎn)業(yè)元年、2018 年云 VR 產(chǎn)業(yè)元年、2019 年 5G 云 VR 產(chǎn)業(yè)元年過后，2020-2021 年將成為虛擬現(xiàn)實(shí)快速 發(fā)展的轉(zhuǎn)折點(diǎn)，2022-2025 年將步入深度沉浸的 5G 進(jìn)階期，目前全球正處于規(guī) 模上量和生態(tài)繁榮前夜。比之 2018-2020 年相對平緩的終端出貨量，隨著 Facebook Quest2、微軟 Hololens2 等標(biāo)桿 VR/AR 終端迭代發(fā)售以及電信運(yùn)營商 虛擬現(xiàn)實(shí)終端的發(fā)展推廣，2021 年有望成為 AR/VR 終端規(guī)模上量、顯著增長的 關(guān)鍵年份。

VR/AR 終端產(chǎn)品市場反饋良好。據(jù) IDC 數(shù)據(jù)，2020 年全球虛擬顯示終端出 貨量約為 630 萬臺，VR、AR 終端出貨量占比分別 90%、10%，預(yù)計(jì) 2024 年終 端出貨量超 7500 萬臺，AR 占比升至 55%，2020-2024 五年期間虛擬顯示出貨量 增速約為 86%，其中 VR、AR 增長分別為 56%、188%，預(yù)計(jì) 2023 年 AR 終端 出貨量有望超過 VR。據(jù) SuperData 數(shù)據(jù)，F(xiàn)acebook 旗下 2020 年 9 月推出的 VR 品牌 Oculus Quest 2 于 2020Q4 成為市場爆品，銷量超過 100 萬臺，遠(yuǎn)超第二位 PlayStation VR 的 12.5 萬臺，Oculus Quest 平臺上已有超 35 款游戲已經(jīng)達(dá)成了百 萬美元的收入。

AR/VR 市場規(guī)模有望快速增長。在 VR/AR 終端出貨量不斷增長的背景下， 信通院數(shù)據(jù)顯示，2020 年全球虛擬現(xiàn)實(shí)市場規(guī)模約為 900 億元人民幣，其中 VR 市場為620億元，AR市場為280億元。預(yù)計(jì)2020-2024年全球虛擬現(xiàn)實(shí)產(chǎn)業(yè)CAGR 約為 54%，其中 VR 增速約 45%，AR 增速約 66%，2024 年兩者份額均為 2400 億元人民幣，增長迅速。

目前 A 股布局 AR/VR 的公司較多。全球最大顯示展會 SID Display Week 2021 上，TCL 華星光電推出首款 LCD VR 顯示屏，其尺寸為 2.02 英寸，分辨率 為 2160*2160，刷新率 120Hz，響應(yīng)時(shí)間 4ms，PPI 高達(dá) 1512，是迄今為止 PPI 最高的 VR 顯示屏；京東方已有定位于超高 PPI VR /AR 顯示產(chǎn)品的 8 英寸硅基 OLED （已建成）和 12 英寸硅基 OLED （在建）產(chǎn)線；歌爾股份提供 VR 光學(xué) 解決方案和全面的 VR 系統(tǒng)解決方案，AR/VR 及相關(guān)光學(xué)模組項(xiàng)目共募集 10 億 元，預(yù)計(jì) 2022 年 8 月建設(shè)完畢；新型顯示（AR+）是水晶光電的五大業(yè)務(wù)板塊 之一，公司致力于從行業(yè)應(yīng)用、消費(fèi)類電子和汽車電子三個(gè)方向開展技術(shù)布局和 市場開拓。除此之外，還有提供組裝與代工服務(wù)的立訊精密、供貨鋰電池和進(jìn)行 VR 代工的欣旺達(dá)以及布局 LCOS 顯示芯片的韋爾股份等。

2.3、 缺芯成行業(yè)主旋律，國內(nèi)廠商迎來供應(yīng)鏈導(dǎo)入良機(jī)

缺芯潮持續(xù)且短期難見緩解，產(chǎn)業(yè)鏈各廠商產(chǎn)品貨期及價(jià)格上漲。2020 年 下半年至今，受多重因素影響，半導(dǎo)體行業(yè)缺芯情況愈演愈烈。上游晶圓產(chǎn)能方 面，自 2020Q3 起，包括臺積電、聯(lián)電等就已將 8 英寸晶圓代工價(jià)格調(diào)漲了 10% 至 20%。力積電 2020 年代工報(bào)價(jià)漲幅約較 2019 年增 30~40%，包括驅(qū)動(dòng) IC、電 源管理 IC、存儲器、MOSFET 等全部都吃緊，部分產(chǎn)能安排已排至 2023 年。終 端產(chǎn)品方面，全球功率半導(dǎo)體龍頭英飛凌旗下 MOSFET 等產(chǎn)品預(yù)計(jì)將在 6 月中 旬會執(zhí)行 12%的漲幅，ST 宣布全系列產(chǎn)品于 6 月 1 日開始漲價(jià)，安森美的部分 產(chǎn)品價(jià)格將于今年 7 月 10 日起上調(diào)。整體來看，缺貨漲價(jià)已成為 2021 年半導(dǎo)體 行業(yè)的主旋律。

缺芯原因有事件性沖擊影響。華為在美國禁令生效前大量囤貨，OVM 等廠 商爭奪華為空出來的市場份額，亦開始大量備貨。IDC 數(shù)據(jù)顯示，華為手機(jī)業(yè)務(wù) 受美國制裁和芯片斷供影響較為明顯，市占率在 2021Q1 已跌出前五，小米和 OPPO 出貨量分別同比增加 64.8%和 64.5%，受益顯著；此外，美國二月暴風(fēng)雪 導(dǎo)致得克薩斯州奧斯丁市等美國芯片制造的核心地區(qū)缺電，三星、NXP、英飛凌 等廠商的工廠陸續(xù)停產(chǎn)；東南亞是全球重要的半導(dǎo)體芯片封裝測試中心，中國小米、華為、韓國三星、美國英特爾、蘋果等都在越南有產(chǎn)業(yè)鏈布局，五月越南、 馬來西亞等國疫情形勢惡化，極可能加劇全球芯片短缺問題。短期的事件性沖擊 和供需失衡致使部分下游客戶因缺芯而發(fā)生較大規(guī)模的停產(chǎn)。

缺芯亦由新一輪需求擴(kuò)張與產(chǎn)能建設(shè)之間的錯(cuò)配導(dǎo)致。首先，是總體需求 擴(kuò)張與有限產(chǎn)能之間的矛盾。需求端來看，2020 年新冠疫情催生宅經(jīng)濟(jì)，線上 居家辦公等帶動(dòng)平板、PC 等需求增長，加速了各行業(yè)萬物互聯(lián)和數(shù)字化進(jìn)程。5G 的進(jìn)一步商業(yè)化、IDC 數(shù)量增加、電動(dòng)汽車銷量回暖和無人駕駛等應(yīng)用興起 帶動(dòng)了更多需求，SIA 數(shù)據(jù)顯示，2020 年全球半導(dǎo)體市場銷售額達(dá)到了 4390 億 美元，同比增長 6.5%，WSTS 預(yù)測 2021 年全球半導(dǎo)體銷售額或達(dá) 4690 億元，同比增長 6.83%。

供給端來看，疫情給海外的一些半導(dǎo)體公司供應(yīng)鏈帶來了比較 大的影響和沖擊，各大制造廠商對全年預(yù)期較低，整個(gè)行業(yè)整體備貨不足，而新 建晶圓廠成本高昂且從興建到量產(chǎn)至少需要兩年，新建產(chǎn)能的“遠(yuǎn)水”難救“近火”。此外，消費(fèi)電子等其他領(lǐng)域的產(chǎn)能擠占，汽車芯片、MCU 等領(lǐng)域缺芯較為突出， 目前來看，資本開支較低、折舊壓力相對較小的 8 英寸晶圓產(chǎn)能尤為緊缺并已進(jìn) 一步傳導(dǎo)至 12 英寸晶圓，主要半導(dǎo)體廠商的產(chǎn)品貨期和價(jià)格都有所增加。

SEMI 預(yù)計(jì)，2019 年至 2022 年，全球 8 英寸晶圓產(chǎn)量將增加 70 萬片，增加幅度為 14%， 年均增速約為 4.5%；其中，MEMS 傳感器相關(guān)產(chǎn)能約增加 25%，功率器件產(chǎn)能 約增加 23%，年均增速約為 6%。未來幾年將推升全球 8 寸晶圓廠產(chǎn)能至每月接 近 650 萬片。

行業(yè)缺芯狀態(tài)更加凸顯芯片國產(chǎn)化瓶頸現(xiàn)狀，疫情控制得當(dāng)有望助推芯片國產(chǎn)化率進(jìn)一步提升。以汽車行業(yè)為例，據(jù) Wind 數(shù)據(jù)顯示，目前國內(nèi)汽車行業(yè) 中車用芯片自研率僅占 10%，90%的汽車芯片必須依賴國外進(jìn)口；除汽車外，國 產(chǎn)芯片在通訊設(shè)備、消費(fèi)電子等領(lǐng)域的市占率也多在 10%以下。多領(lǐng)域依賴國 外進(jìn)口芯片疊加海外疫情嚴(yán)重導(dǎo)致生產(chǎn)縮減，芯片國產(chǎn)化率提升迫在眉睫。IC insight 數(shù)據(jù)顯示，2020 年我國芯片產(chǎn)值為 227 億美元，自給率為 15.87%。隨著 國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈自主可控必要性和緊迫性凸顯，國家政策、資金大力支持，國 內(nèi)部分廠商已實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破，未來芯片國產(chǎn)化率進(jìn)一步提升指日可待。

過去終端客戶芯片采購本土化意愿較低的一個(gè)重要原因是對質(zhì)量的嚴(yán)格要求和對供應(yīng)鏈廠商切換的驗(yàn)證成本。以車規(guī)級芯片為例，車規(guī)級芯片較消費(fèi)級和 工業(yè)級別芯片對可靠性、穩(wěn)定性有更高的要求，如工作溫度高于消費(fèi)級芯片 （0℃-40℃）和工業(yè)級芯片（40℃-155℃），使用時(shí)間也更長（15 年，消費(fèi)級和 工業(yè)級芯片分別為 1-3 年和 5-10 年）。車規(guī)級芯片對于存儲解決方案的挑戰(zhàn)性在 于，自動(dòng)駕駛汽車的每個(gè)系統(tǒng)都有獨(dú)特要求，任何一款存儲解決方案都無法適用 于整輛汽車，此外，車規(guī)級芯片相比消費(fèi)芯片和一般工業(yè)芯片開發(fā)難度更高，工 作環(huán)境也更嚴(yán)苛，同時(shí)由于涉及到人身安全，要求極高的安全性和可靠性。

缺貨給了國產(chǎn)廠商難得的“試錯(cuò)”機(jī)會，國產(chǎn)廠商迎來供應(yīng)鏈導(dǎo)入良機(jī)。國 內(nèi)汽車半導(dǎo)體在基礎(chǔ)環(huán)節(jié)、標(biāo)準(zhǔn)和驗(yàn)證體系、車規(guī)產(chǎn)品驗(yàn)證、產(chǎn)業(yè)配套等方面能 力薄弱，同時(shí)在半導(dǎo)體各個(gè)產(chǎn)品自主率較低，與我國與消費(fèi)電子半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈相 比，由于汽車半導(dǎo)體在可靠性、穩(wěn)定性等領(lǐng)域要求更高，且我國終端車企品牌市 占率遠(yuǎn)不如消費(fèi)電子領(lǐng)域，國內(nèi)品牌對產(chǎn)業(yè)鏈扶持力度有限，國內(nèi)企業(yè)在汽車半 導(dǎo)體領(lǐng)域的整體市占率更低，同時(shí)也對應(yīng)著可觀的國產(chǎn)替代空間。汽車芯片供應(yīng)鏈恢復(fù)時(shí)間不確定，缺芯致使下游需求方提高了對國產(chǎn)汽車芯片產(chǎn)品的試錯(cuò)容忍 度并選擇國產(chǎn)廠商產(chǎn)品以解決部分燃眉之急，為汽車芯片企業(yè)提供了絕佳的導(dǎo)入 機(jī)會，在得到客戶驗(yàn)證通過并大規(guī)模放量后，國產(chǎn)芯片廠商將進(jìn)一步鞏固其行業(yè) 地位并實(shí)現(xiàn)更高的國產(chǎn)化率和延續(xù)本土化趨勢。部分廠商正抓住國產(chǎn)替代的機(jī)遇 窗口，在各自領(lǐng)域取得突破，實(shí)現(xiàn)業(yè)績規(guī)?？焖僭鲩L。

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半導(dǎo)體引領(lǐng)主線：汽車半導(dǎo)體、核心設(shè)備

和材料、射頻與模擬等細(xì)分方向

3.1、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)眾多，核心芯片國產(chǎn)化率較低

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)眾多，專業(yè)分工程度高，新技術(shù)新應(yīng)用是行業(yè)下游重要 驅(qū)動(dòng)力。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上下游包括三大環(huán)節(jié)：IC 設(shè)計(jì)、晶圓制造加工以及封裝 測試、應(yīng)用。IC 設(shè)計(jì)是指根據(jù)終端產(chǎn)品的需求，從系統(tǒng)、模塊、電路等各個(gè)層 級進(jìn)行選擇并組合，確定器件結(jié)構(gòu)、工藝方案等，實(shí)現(xiàn)相關(guān)的功能和性能要求， 并將其委托給晶圓代工廠進(jìn)行生產(chǎn)加工；晶圓制造廠根據(jù)設(shè)計(jì)版圖進(jìn)行掩膜制作 形成模板，在晶圓上批量制造集成電路，通過多次重復(fù)運(yùn)用摻雜、沉積、光刻等 工藝最終將 IC 設(shè)計(jì)公司設(shè)計(jì)好的電路圖移植到晶圓上；完成后的晶圓再送往下 游封測廠進(jìn)行切割、焊線、塑封，以防止物理損壞或化學(xué)腐蝕，同時(shí)使芯片電路 與外部器件實(shí)現(xiàn)電氣連接，最后移交給下游廠商。

核心芯片國產(chǎn)化率偏低。我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅猛，但目前在終端應(yīng)用的 核心芯片中，國產(chǎn)芯片占比仍較低，由下表可以看出，我國在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、通用 電子系統(tǒng)的終端核心芯片上國產(chǎn)芯片市占率仍接近于 0，在內(nèi)存設(shè)備和顯示系統(tǒng) 中的國產(chǎn)核心芯片市場才剛起步，在通信裝備方面，國產(chǎn)芯片已實(shí)現(xiàn)部分進(jìn)口替 代，應(yīng)用處理器和通信處理器中國產(chǎn)芯片占比分別達(dá)到 18%和 22%。

3.2、汽車半導(dǎo)體大有可為，功率、存儲、控制類芯片深度受益

3.2.1、功率器件：行業(yè)景氣度持續(xù)提升，MOSFET、IGBT 市場廣闊

功率半導(dǎo)體是電子裝置電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，應(yīng)用領(lǐng)域廣泛。功率 半導(dǎo)體通過利用半導(dǎo)體的單向?qū)щ娦詫?shí)現(xiàn)電源開關(guān)和電力轉(zhuǎn)換的功能，功率半導(dǎo) 體主要分為功率器件、功率 IC。功率器件可以分為二極管、晶閘管、MOSFET、 IGBT 等。據(jù) IHS 數(shù)據(jù)，2020 年全球功率半導(dǎo)體市場規(guī)模為 422 億美元，同比增 長 4.6%；中國功率半導(dǎo)體市場規(guī)模為 153 億美元，同比增長 6.3%。其中，工業(yè)、 汽車和消費(fèi)電子是功率半導(dǎo)體的前三大終端市場。根據(jù)智研咨詢的數(shù)據(jù)，2019 年汽車領(lǐng)域占全球功率半導(dǎo)體市場的 35.4%，工業(yè)應(yīng)用市場占比為 26.8%，消費(fèi) 電子占比為 13.2%。隨著對節(jié)能減排的需求日益迫切，功率半導(dǎo)體的應(yīng)用領(lǐng)域從 傳統(tǒng)的工業(yè)領(lǐng)域和 4C 領(lǐng)域逐步進(jìn)入新能源、智能電網(wǎng)、軌道交通、變頻家電等 市場。

受益于工業(yè)、電網(wǎng)、新能源汽車和消費(fèi)電子領(lǐng)域新興應(yīng)用不斷出現(xiàn)，功率 半導(dǎo)體器件市場規(guī)模不斷增長。根據(jù) Yole 數(shù)據(jù)，2019 年全球功率器件市場規(guī)模 為 175 億美元，預(yù)計(jì) 2025 年或達(dá) 225 億美元，復(fù)合增長率為 4.28%。

MOSFET：高頻開關(guān)，功率器件主要的細(xì)分市場。MOSFET 在功率器件中 占比最高。根據(jù)智研咨詢和華經(jīng)情報(bào)網(wǎng)數(shù)據(jù)，2019 年 MOSFET 占比 35.9%，市 場規(guī)模達(dá) 62.59 億美元；中國是全球最主要的功率器件消費(fèi)國，功率器件細(xì)分的 主要產(chǎn)品在中國的市場份額均處于第一位。其中，中國 MOSFET 市場規(guī)模占比 全球?yàn)?44.3%，中國 MOSFET 市場規(guī)模約 26.4 億美元。目前國內(nèi)以低端 MOSFET 產(chǎn)品為主，在中高端 MOSFET 器件中，90%依賴進(jìn)口，國產(chǎn)替代空間廣闊。

2022 年 MOSFET 終端應(yīng)用占比預(yù)測：根據(jù)華經(jīng)情報(bào)網(wǎng)數(shù)據(jù)，隨著汽車電子 化以及工業(yè)系統(tǒng)智能化程度的不斷加深，預(yù)計(jì)到 2022 年 MOSFET 下游應(yīng)用中， 汽車占比為 22%，計(jì)算機(jī)及存儲占比為 19%，工業(yè)占比為 14%。

IGBT 是電機(jī)驅(qū)動(dòng)的核心：廣泛應(yīng)用于逆變器、變頻器等，在 UPS、開關(guān)電 源、電車、交流電機(jī)等領(lǐng)域，逐步替代 GTO、GTR 等產(chǎn)品。IGBT 下游應(yīng)用領(lǐng) 域廣泛，由于 IGBT 具有能源轉(zhuǎn)換和高效節(jié)能等優(yōu)點(diǎn)，汽車行業(yè)、消費(fèi)電子行業(yè)、 能源行業(yè)、電機(jī)行業(yè)等都需要利用 IGBT 來提高能源使用效率。隨著新能源、智 慧城市建設(shè)等下游領(lǐng)域的發(fā)展，IGBT 市場規(guī)模也在不斷擴(kuò)大。由于 IGBT 模塊 集成度高，存在較高的進(jìn)入壁壘，目前全球 IGBT 市場主要被歐洲和日本企業(yè)壟 斷，IGBT 國產(chǎn)化率不足 10%，以斯達(dá)半導(dǎo)為代表的國內(nèi)廠商日漸崛起，國產(chǎn)替代空間廣闊。

IGBT 市場空間：IGBT 分為 IGBT 芯片和 IGBT 模塊，其中 IGBT 模塊是由 IGBT 芯片封裝而來，具有參數(shù)優(yōu)秀、最高電壓高、引線電感小的特點(diǎn)，是 IGBT 最常見的應(yīng)用形式，IGBT 模塊常用于大電流和大電壓環(huán)境。據(jù)集邦咨詢數(shù)據(jù)， 受益于新能源汽車和工業(yè)領(lǐng)域的需求大幅增加，2025 年中國 IGBT 市場規(guī)模將 達(dá)到 522 億人民幣，復(fù)合增長率達(dá) 19.11%。

以英飛凌、安森美等企業(yè)為代表的龍頭廠商均為 IDM 模式，擁有完整的晶圓廠、 芯片制造廠和封裝廠，對成本和質(zhì)量控制能力很強(qiáng)，以高端產(chǎn)品為主，實(shí)力強(qiáng)勁。中 國大陸的廠商 IDM 和 Fabless 模式兼有，產(chǎn)品以晶閘管、二極管等分立器件和低壓 MOSFET 為主，與歐美日廠商存在較大差距，以斯達(dá)半導(dǎo)為代表的廠商日漸崛起， 逐步趕超歐美日龍頭廠商；以茂達(dá)、富鼎電子等為代表的的中國臺灣廠商以 Fabless 模式為主，主要負(fù)責(zé)芯片制造和封裝。

從競爭格局看，功率半導(dǎo)體行業(yè)集中度較高，歐美廠商占據(jù)第一梯隊(duì)，國產(chǎn)廠 商日漸崛起。英飛凌和 Omdia 數(shù)據(jù)顯示，2019 年全球功率器件/MOSFET/IGBT 芯片 /IGBT 模塊 CR10 分別為 58.30%/78.20%/84.4%/81.1%。其中英飛凌是全球最大的功 率半導(dǎo)體廠商，功率器件市場份額為 19%，MOS 產(chǎn)品市場份額約 25%，IGBT 產(chǎn)品 市場份額超 30%。功率半導(dǎo)體廠商以歐美日為主，中國廠商起步較晚，技術(shù)積累與歐 美日廠商差距較大。目前功率半導(dǎo)體廠商可以分為三個(gè)梯隊(duì)，第一梯隊(duì)是英飛凌、安 森美等歐美廠商為主，第二梯隊(duì)以三菱電機(jī)、富士電機(jī)等日本廠商為主，第三梯隊(duì)以 斯達(dá)半導(dǎo)、捷捷微電、新潔能、聞泰科技（安世半導(dǎo)體）等中國廠商為主。

3.2.2、控制類芯片：汽車算力需求推升控制類芯片市場空間

當(dāng)前汽車主控芯片主要是 MCU(流微控制單元 Microcontroller Unit)，負(fù)責(zé) 計(jì)算和控制。MCU 是把中央處理器(Central Process Unit;CPU)的頻率與規(guī)格做適 當(dāng)縮減，并將內(nèi)存(memory)、計(jì)數(shù)器(Timer)、USB、A/D 轉(zhuǎn)換、UART、PLC、 DMA 等周邊接口，甚至 LCD 驅(qū)動(dòng)電路都整合在單一主板上，形成能完整處理 任務(wù)的微型計(jì)算機(jī)。MCU 主要作用于最核心的安全與駕駛方面，自動(dòng)駕駛（輔 助）系統(tǒng)的控制，中控系統(tǒng)的顯示與運(yùn)算、發(fā)動(dòng)機(jī)、底盤和車身控制等。

L3 級自動(dòng)駕駛需要 30TOPS 的算力，未來車載計(jì)算芯片空間廣闊。根據(jù)國 內(nèi)自動(dòng)駕駛芯片廠商地平線數(shù)據(jù)，L1/L2 級別對算力的需求不足 2TOPS（1TOPS 代表一秒鐘進(jìn)行 1 萬億次計(jì)算），而到了 L3 級別自動(dòng)駕駛，算力需求將迅速來 到 30TOPS，為了冗余設(shè)計(jì)的考慮，我們看到當(dāng)前主流自動(dòng)駕駛芯片的設(shè)計(jì)算力 多達(dá)到了大幾十 TOPS，到 L4 和 L5 級別，自動(dòng)駕駛對算力的需求將來到 300 和 4000TOPS，當(dāng)然，目前滿足 L3 級別的芯片已經(jīng)陸續(xù)流片，而 L3 級別的自動(dòng)駕 駛技術(shù)仍需時(shí)日，自動(dòng)駕駛芯片算力再短期內(nèi)并沒有顯著再提升的需求。

汽車計(jì)算、控制類芯片市場規(guī)模約為 108 億美元，SoC 將成為主要增量。 根據(jù) IHS 數(shù)據(jù)顯示，當(dāng)前 MCU 芯片市場規(guī)模約為 70 億美元，預(yù)計(jì) 2025 年將增 長至 78 億美元，受益于汽車電動(dòng)化以及自動(dòng)駕駛技術(shù)的發(fā)展，汽車電子電氣架 構(gòu)由分布式向集中化躍進(jìn)，SoC 是未來汽車計(jì)算、控制類芯片的主要增量來源， 2020 年汽車 SOC 芯片市場規(guī)模約為 37 億美元，預(yù)計(jì)到 2025 年將迅速增長至約 82 億美元，CAGR 達(dá) 14.87%。

功能芯片：在 MCU 領(lǐng)域，英飛凌、瑞薩、恩智浦、ST 為頭部企業(yè)，均具 有覆蓋不同應(yīng)用和功能的完整 MCU 產(chǎn)品線，近年加快了并購步伐，市場進(jìn)一步 集中，CR5 占據(jù)全球約 80%的市場份額。國內(nèi)份額與國外企業(yè)差距較大，上市 公司中穎電子、兆易創(chuàng)新、東軟載波都涉及汽車電子領(lǐng)域，但市占率極少。

計(jì)算類芯片：瑞薩電子、恩智浦、德州儀器等傳統(tǒng)汽車芯片企業(yè)是當(dāng)前量產(chǎn) 環(huán)節(jié)的主導(dǎo)力量，憑借深厚的汽車芯片設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)，在嵌入式計(jì)算處理器領(lǐng)域與汽 車軟件、系統(tǒng)開發(fā)商深度綁定，能夠更好地協(xié)同車輛控制，把控功能安全需求。英偉達(dá)、高通、Intel 雖為傳統(tǒng) ICT 企業(yè)，近年來在汽車主控芯片領(lǐng)域大舉布局， 現(xiàn)已躋身全球汽車半導(dǎo)體前 25，主打 ADAS、自動(dòng)駕駛以及智能座艙領(lǐng)域的芯 片設(shè)計(jì)，具備傳統(tǒng)芯片企業(yè)難以比擬的算力優(yōu)勢，Intel Mobileye 的 EyeQ 系列芯 片、高通驍龍 820A 就是典型代表，而其他產(chǎn)品多處于研發(fā)應(yīng)用和預(yù)量產(chǎn)階段。

3.2.3、存儲芯片：汽車數(shù)據(jù)量推動(dòng)車規(guī)存儲芯片需求快速成長

存儲器芯片是信息系統(tǒng)的基礎(chǔ)核心芯片，也是集成電路產(chǎn)業(yè)的核心產(chǎn)品之 一。不同技術(shù)原理催生不同的產(chǎn)品，具有各自的優(yōu)缺點(diǎn)和適用領(lǐng)域。按存儲形式 不同，可分為：光學(xué)存儲、磁性存儲、半導(dǎo)體存儲。若按照信息保存的角度來分 類，可以分為易失性存儲芯片和非易失性存儲芯片。易失性存儲芯片在所在電路 斷電后，將無法保存數(shù)據(jù)，代表性產(chǎn)品有 DRAM 和 SRAM；非易失性存儲芯片 在所在電路斷電后，仍保有數(shù)據(jù)，代表性產(chǎn)品為 NAND Flash 和 NOR Flash。

DRAM 和 Flash 是目前市場上最為重要的存儲器芯片。DRAM 具有高容量、 大帶寬、低功耗、短延時(shí)、低成本等特征，是主要用于個(gè)人電腦、服務(wù)器、手機(jī) 等設(shè)備的最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存，也是半導(dǎo)體行業(yè)最大的單一產(chǎn)品類別，2019 年 市場規(guī)模為 620 億美元，占比 56%。由于采用不同的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，SRAM 比 DRAM 的讀寫速度更快、功耗水平更低，但電路結(jié)構(gòu)的差異也造成了相同容量的 SRAM 的成本高于 DRAM，通常情況下只會使用在 CPU 的一、二級緩存等對存儲速度 要求嚴(yán)格的領(lǐng)域；Flash 主要有 NAND 和 NOR 兩種，區(qū)別在于存儲單元連接方 式不同，導(dǎo)致兩者讀取方式不同，2019 年二者市場規(guī)模分別為 460 億和 22 億美 元，占比為 42%和 2%。Flash 具有壽命長、體積小、功耗低、非易失性等特點(diǎn) 和優(yōu)勢，廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、移動(dòng)通信、網(wǎng)絡(luò)通信、個(gè)人電腦、服務(wù)器等領(lǐng)域， 主要用于代碼存儲和數(shù)據(jù)存儲等，是近年來發(fā)展較快的存儲器芯片產(chǎn)品。

存儲芯片下游應(yīng)用廣泛。以 DRAM 和 NAND Flash 為例，DRAM 下游主要 應(yīng)用于移動(dòng)式（~33%）、服務(wù)器（~28%）、PC（~20%）等領(lǐng)域，在消費(fèi)電子、 繪圖等領(lǐng)域亦有應(yīng)用，NAND 下游主要用用于手機(jī)（~48%）、SSD（~43%）等 領(lǐng)域，此外在游戲機(jī)、USB 存儲設(shè)備、平板電腦等領(lǐng)域也有較廣泛的應(yīng)用。

存儲芯片為汽車芯片重要組成部分，車載存儲產(chǎn)品性能要求不斷提升。搜 狐汽車研究室數(shù)據(jù)顯示，2019 年模擬芯片、傳感器與執(zhí)行器和分立器件位列汽 車半導(dǎo)體價(jià)值量前三位，占汽車半導(dǎo)體市場規(guī)模比例分別為 28%、17%和 14%， 合計(jì)占比近六成，存儲芯片以 8%的占比位居第七。汽車“三化”趨勢明顯，由于 車載導(dǎo)航系統(tǒng)、娛樂系統(tǒng)、行車記錄儀、ADAS 輔助駕駛以及未來的無人駕駛、 5G 通信應(yīng)用的加入，需要處理和連接越來越大數(shù)據(jù)量的汽車正逐漸成為一個(gè)移 動(dòng)的服務(wù)器，以汽車駕駛輔助系統(tǒng) ADAS 為例，由于需要大容量存儲和高效運(yùn) 算支撐系統(tǒng)的快速反映，特別是高清的圖像傳輸，對于存儲產(chǎn)品的容量、性能、 可靠性也提出了越來越高的需求。搜狐汽車研究室預(yù)測，2025 年存儲芯片占汽 車半導(dǎo)體的比例將提升至第五位，為 12%。

汽車存儲芯片市場規(guī)模：L3 自動(dòng)駕駛落地關(guān)鍵時(shí)期已來，各大龍頭車企相 繼推出重磅 L3 自動(dòng)駕駛車型，相較于 L1 和 L2 級車型而言，L3 及以上級自動(dòng) 駕駛的高精度地圖、數(shù)據(jù)、算法都需要大容量存儲來支持，一臺 L3 級的自動(dòng)駕 駛汽車將需要 16GB DRAM 和 256GB NAND，一臺 L5 級的全自動(dòng)駕駛汽車估計(jì) 需要 74GB DRAM 和 1TB NAND。

此外，無人駕駛汽車（感應(yīng)+認(rèn)知+行動(dòng)）將 配備大量的傳感系統(tǒng)，比如：GPS 接收器、激光雷達(dá)、超聲波傳感器、毫米波 雷達(dá)、高清攝像頭等，為實(shí)現(xiàn)自動(dòng)駕駛汽車的互聯(lián)性，包括儀表盤系統(tǒng)、導(dǎo)航系 統(tǒng)、信息娛樂系統(tǒng)、動(dòng)力傳動(dòng)系統(tǒng)等，都需要存儲數(shù)據(jù)為自動(dòng)駕駛汽車提供基礎(chǔ) 數(shù)據(jù)作為參數(shù)，催生對大容量存儲需求提升，為存儲器廠商提供了廣闊的市場空 間。根據(jù)搜狐汽車研究室預(yù)測，受益于新能源汽車、5G 及物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備 等賦能，全球汽車存儲芯片市場規(guī)模將從 2016 年的 22 億美元增至 2025 年的 83 億美元，2016-2025 年 CAGR 為 15.90%。

競爭格局：存儲芯片總體呈壟斷趨勢，市場集中度較高。從競爭格局看， 三星在 DRAM 和 NAND Flash 占據(jù)絕對優(yōu)勢地位，海力士和美光市場份額亦較 高，行業(yè)整體呈壟斷趨勢，DRAM CR3 超 95%，NAND Flash CR3 為 68.8%。在 NOR Flash 領(lǐng)域，行業(yè)前三分別為旺宏、華邦和兆易創(chuàng)新，CR3 達(dá) 69.5%。

3.3、 設(shè)備和材料：半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基石，國產(chǎn)替代勢在必行

集成電路工藝復(fù)雜，制造設(shè)備種類繁多。集成電路制造工藝復(fù)雜，其主要工 藝流程包括氧化、清洗、涂膠、烘干、光刻、顯影洗膠、刻蝕、去膠、離子注入、 薄膜沉積、化學(xué)機(jī)械打磨、測試、檢測等，其中部分工序需要循環(huán)進(jìn)行數(shù)次至數(shù) 十次。

全球半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模：根據(jù) SEMI 數(shù)據(jù)，全球半導(dǎo)體制造設(shè)備銷售額從 2019 年的 598 億美元猛增 19%，在 2020 年達(dá)到 712 億美元的歷史新高。中國大陸首次成為新半導(dǎo)體設(shè)備的最大市場，銷售額增長 39%，達(dá)到 187.2 億美元。

目前芯片代工產(chǎn)產(chǎn)能普遍緊張，汽車芯片、智能手機(jī)處理器等多類半導(dǎo)體產(chǎn) 品也供不應(yīng)求。臺積電、力積電正在建設(shè)新的晶圓廠，英特爾也已宣布將投資 200 億美元新建兩座晶圓廠，因而在芯片代工商提高產(chǎn)能、新建晶圓廠的推動(dòng)下， 全球半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備今年的銷售額有望再創(chuàng)新高。

中國半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)增速迅猛，遠(yuǎn)高于世界平均水平。中國大陸半導(dǎo)體設(shè) 備銷售額從 2019 年的 134.5 億美元增長至 2020 年的 187.2 億美元，同比變化率 高達(dá) 39%。中國大陸半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模占全球市場的比重持續(xù)提升，從 2013 年占比 10.6%提升至 2019 年的 22.5%。

半導(dǎo)體設(shè)備作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上游的支撐行業(yè)，面臨國產(chǎn)化率低、被國外 巨頭壟斷的局面。2013-2020 年中國大陸半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模呈現(xiàn)逐年增長態(tài)勢 且受新冠疫情影響并不顯著，同時(shí)伴隨中國大陸半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模占全球市場 規(guī)模比重不斷增長趨勢，但整體國產(chǎn)率仍較低，主要專用設(shè)備仍依賴進(jìn)口，多數(shù) 半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化程度低于 20%。截至目前，我國半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)已處于追趕 階段。自 2020 年以來我國半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)企業(yè)的融資多輪處于 A 輪及戰(zhàn)略投資， 未來行業(yè)或?qū)⑽崭噘Y金。

半導(dǎo)體晶圓制造材料市場：根據(jù) SEMI 數(shù)據(jù)，因 5G 普及、新冠肺炎疫情推 升宅經(jīng)濟(jì)需求，帶動(dòng)全球半導(dǎo)體需求攀高，2020 年全球半導(dǎo)體材料銷售額年增 4.9%至 553 億美元，其中晶圓制造材料占比 63%，銷售額為 349 億美元；余下 204 億美元為半導(dǎo)體封裝材料。SEMI 預(yù)計(jì)，2021 年全球半導(dǎo)體材料市場或達(dá) 563.6 億美元。2019 年全球硅片、電子氣體、光掩膜板、光刻膠及配套試劑的銷 售額分別為 122/43/42/40 億美元，市場份額分別為 37%/13%/13%/12%。

受益于晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)潮和國產(chǎn)替代，半導(dǎo)體材料企業(yè)迎來機(jī)會。目前，國內(nèi) 半導(dǎo)體材料的國產(chǎn)化率較低，在核心領(lǐng)域國內(nèi)企業(yè)的競爭實(shí)力與國外龍頭相差甚 遠(yuǎn)，擺脫進(jìn)口依賴的局面任重道遠(yuǎn)。華為禁令和中芯事件凸顯國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈 自主可控的必要性，加速半導(dǎo)體材料等領(lǐng)域國產(chǎn)化勢在必行。我們認(rèn)為受益于國 家政策大力支持以及大基金和地方資本長期持續(xù)投入，國內(nèi)半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)將逐 步崛起，作為晶圓制造上游，國內(nèi)半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)將會進(jìn)入快速發(fā)展期。

全球半導(dǎo)體行業(yè)快速發(fā)展，晶圓制造材料市場發(fā)展成為推送半導(dǎo)體材料行業(yè)主力，中國大陸、中國臺灣等地區(qū)逐漸成為全球半導(dǎo)體材料市場重點(diǎn)地區(qū)。根據(jù) Maximize Market Research 數(shù)據(jù)，2019 年全球半導(dǎo)體材料顯著向中國大陸、中國臺灣、 南韓地區(qū)轉(zhuǎn)移，市場份額保持不斷上漲趨勢，其中中國大陸從 6.4%提升至 16.67%，成為受益于第三次全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移最大贏家。

同時(shí)根據(jù) SEMI 數(shù)據(jù)顯示， 2017 年到 2020 年四年間，預(yù)計(jì)中國將有 26 座新晶圓廠投產(chǎn)，預(yù)期成為全球新 建晶圓廠最積極的地區(qū)。受益于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈轉(zhuǎn)移疊加大力投產(chǎn)，中國晶圓制 造行業(yè)市場規(guī)模預(yù)期將從 2015 年的 900 億元提升至 2021 年的 2941.4 億元，半 導(dǎo)體國產(chǎn)化節(jié)奏漸強(qiáng)，必將帶來上游半導(dǎo)體材料更廣闊的國產(chǎn)化發(fā)展機(jī)遇。

半導(dǎo)體行業(yè)高端產(chǎn)品核心技術(shù)壁壘較高，但仍難阻中國半導(dǎo)體材料發(fā)展趨 勢。半導(dǎo)體材料市場可以分為晶圓材料和封裝材料市場。在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域，由 于高端產(chǎn)品技術(shù)壁壘高，國內(nèi)企業(yè)長期研發(fā)投入和積累不足，我國半導(dǎo)體材料在 國際分工中多處于中低端領(lǐng)域，高端產(chǎn)品市場主要被歐美日韓臺等少數(shù)國際大公 司壟斷；國內(nèi)大部分產(chǎn)品自給率較低，基本不足 30%，且大部分為技術(shù)壁壘較 低的封裝材料；而在晶圓制造材料方面國產(chǎn)化比例更低，主要依賴進(jìn)口。

以硅片為例，由于其具有極高技術(shù)壁壘，目前全球市場呈現(xiàn)出寡頭壟斷格局。以日本新 越化學(xué)、SUMCO、德國 Siltronic、中國臺灣環(huán)球晶以及韓國 SKSiltron 為首的五 大供貨商合計(jì)占據(jù)全球 90%以上的市場份額；中國目前硅產(chǎn)業(yè)集團(tuán)規(guī)模較小， 占據(jù)全球半導(dǎo)體硅片市場份額 2.18%。

3.4、 模擬芯片：長坡厚雪，半導(dǎo)體優(yōu)質(zhì)細(xì)分賽道

模擬芯片是連接數(shù)字世界與自然世界的橋梁。模擬集成電路是指由電容、電 阻、晶體管等組成的用來處理模擬信號的集成電路。數(shù)字芯片不能直接與自然界 溝通，為了處理方便，一般將模擬信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號，輸入到大容量、高速、 抗干擾能力強(qiáng)的數(shù)字處理系統(tǒng)處理后再轉(zhuǎn)換為模擬信號輸出。在電子系統(tǒng)中，模 擬芯片功能非常多，包括信號接收、信號放大、數(shù)模信號轉(zhuǎn)換、穩(wěn)壓、比較等。

模擬芯片具有長生命周期、弱周期性的特點(diǎn)。數(shù)字集成電路強(qiáng)調(diào)運(yùn)算速度與 成本比，需要不斷采用新設(shè)計(jì)或新工藝，遵循摩爾定律，更新?lián)Q代速度快，生命 周期一般 1-2 年；而模擬集成電路強(qiáng)調(diào)可靠性和穩(wěn)定性，一經(jīng)量產(chǎn)往具備長久生 力，生命周期長，一般在 5 年以上。模擬芯片下游應(yīng)用十分廣泛，擁有眾多細(xì)分 品類，單一產(chǎn)業(yè)景氣度對模擬芯片沖擊相對小，其占半導(dǎo)體比重在 13-14%，總 體較為穩(wěn)定。

模擬芯片根據(jù)功能分為以下三大類：

（1）電源管理芯片，包括穩(wěn)壓器產(chǎn)品、電池 管理產(chǎn)品、LED 驅(qū)動(dòng)器、AC/DC 控制器等，主要用于穩(wěn)定電流和電壓，電流、電壓 控制，以及電流轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域；

（2）信號鏈芯片，包括放大器、濾波器等線性產(chǎn)品，接 口電路等，主要用于模擬信號處理，以及電子系統(tǒng)之間的信號傳輸?shù)龋瑥V泛應(yīng)用于工 業(yè)，通訊，醫(yī)療等行業(yè)；

（3）數(shù)模轉(zhuǎn)換器，用于模擬信號與數(shù)字信號的互相轉(zhuǎn)換。

模擬芯片市場規(guī)模：IC Insight 數(shù)據(jù)顯示，2020 年全球模擬芯片市場規(guī)模為 570 億美元。其中，德州儀器（TI）以 109 億美元銷售額和 19%的市占繼續(xù)穩(wěn)坐第一名， 營收規(guī)模幾乎為第二名亞德諾半導(dǎo)體（ADI）的兩倍。國內(nèi)模擬芯片廠商市占率均不 足 1%，國產(chǎn)替代空間廣闊。國內(nèi)方面，2020 年中國模擬芯片市場規(guī)模為 1622.6 億元， 占全球模擬芯片市場比例約為 40%，連續(xù)三年呈現(xiàn)快速增長趨勢。

國內(nèi)需求端方面， 中美貿(mào)易摩擦推動(dòng)國內(nèi)終端客戶關(guān)注供應(yīng)鏈安全及穩(wěn)定性，國產(chǎn)替代不斷推進(jìn)，本土 代理商紛紛尋求國內(nèi)廠商合作；供給端方面，國內(nèi)模擬芯片廠商以某個(gè)細(xì)分領(lǐng)域切入 市場，以更低價(jià)格、更優(yōu)服務(wù)替代美系廠商產(chǎn)品且取得較好市場效果。與此同時(shí)，外 延并購逐步被國內(nèi)廠商采納以提升與國際巨頭在市場競爭方面優(yōu)勢，如矽力杰收購 Maxim 的智慧電表及能源監(jiān)控部門以及 NXP 的 LED 照明業(yè)務(wù)。在下游景氣需求疊加 國產(chǎn)替代推動(dòng)下，國內(nèi)模擬芯片廠商進(jìn)入產(chǎn)業(yè)黃金期，市占率有望擴(kuò)大，乘風(fēng)而起快 速成長。

3.5、 射頻芯片：5G/IOT 驅(qū)動(dòng)，國產(chǎn)化正當(dāng)時(shí)

5G 時(shí)代新增大量高頻頻段，手機(jī)射頻前端量價(jià)齊升。在過去的十余年間，移動(dòng) 通信行業(yè)經(jīng)歷了從 2G 到 3G，再到 4G 和 5G 的三次重大產(chǎn)業(yè)升級，支持頻段數(shù)目持 續(xù)增加，雙 4G/全網(wǎng)通、五模/七模、十三頻/十七頻/三十頻、載波聚合、MIMO、全 面屏成為智能手機(jī)標(biāo)配，導(dǎo)致包括射頻開關(guān)、射頻低噪聲放大器、射頻功率放大器、 雙工器、射頻濾波器在內(nèi)的射頻前端器件數(shù)量和價(jià)值急劇增加。

舉例說明，2G 時(shí)代 手機(jī)頻段數(shù)是 4 個(gè)，單機(jī)總價(jià)值是 0.8 美元；3G 時(shí)代手機(jī)頻段數(shù)上升到 6 個(gè)，單機(jī) 總價(jià)值 3.25 美元；4G 時(shí)代，千元機(jī)頻段數(shù)達(dá)到了 8-20 個(gè)，旗艦機(jī)頻段數(shù)在 17-30 個(gè)， 需要 20-40 個(gè)濾波器，10 個(gè)開關(guān)，單機(jī)總價(jià)值 16-20 美元；而到了 5G 手機(jī)，頻段數(shù) 將達(dá)到 50 個(gè)，需要 80 個(gè)濾波器和 15 個(gè)開關(guān)，單機(jī)總價(jià)值達(dá) 25-40 美元。相比于 4G 時(shí)代，5G 時(shí)代的單機(jī)射頻前端價(jià)值量可以實(shí)現(xiàn)翻倍。

射頻前端芯片市場規(guī)模與格局：射頻前端芯片市場主要有兩個(gè)方向，移動(dòng)終端市 場和以基站為代表的通信基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)市場。前者市場規(guī)模較大，為射頻前端市場的 主要驅(qū)動(dòng)力，且 5G 發(fā)展將推動(dòng)單個(gè)移動(dòng)終端內(nèi)部射頻前端芯片數(shù)量和價(jià)值提高。Yole 統(tǒng)計(jì)顯示，2019 年射頻前端市場為 152 億美元，到 2025 年有望達(dá)到 254 億美元， 2020-2025 年年均復(fù)合增長率將達(dá)到 11％。從競爭格局看，全球射頻芯片市場集中度 較高，前五大廠商分別為 Murata、Skyworks、Broadcom、Qorvo、Qualcomm，CR5 為 79%。

國產(chǎn)射頻前端芯片迎來發(fā)展機(jī)會，國內(nèi)廠商有望擠進(jìn)第一梯隊(duì)，替代前景廣闊。Skyworks、Qorvo、Broadcom、Murata 四大巨頭通過并購延伸不斷擴(kuò)張，長期壟斷全 球射頻前端芯片市場的第一梯隊(duì)。我國射頻前端芯片廠商依然在起步階段，市場話語 權(quán)有限，但在中美貿(mào)易戰(zhàn)后國產(chǎn)自制芯片的政策鼎力支持和國內(nèi)手機(jī)品牌占有率持續(xù) 增長的背景下，國內(nèi)供應(yīng)鏈廠商有望迎來重大發(fā)展機(jī)遇。其中卓勝微在射頻開關(guān)領(lǐng)域 已經(jīng)達(dá)到國際先進(jìn)水平，在 LNA 和接收端射頻模組產(chǎn)品上也具備強(qiáng)大實(shí)力，唯捷創(chuàng) 芯在射頻 PA 領(lǐng)域表現(xiàn)出色，目前已經(jīng)占據(jù)全球 4G 中低端 PA 市場的三成以上，紫 光展銳和韋爾股份同樣在細(xì)分領(lǐng)域具備強(qiáng)大技術(shù)實(shí)力，國內(nèi)廠商未來有望上升至第一 梯隊(duì)，擴(kuò)大市場份額，成長空間廣闊。

3.6、 IC 制造和封測：行業(yè)景氣度持續(xù)提升，中芯國際 加碼成熟制程前景廣闊

IC 制造分為 IDM 模式和代工模式。IDM 模式下，廠商獨(dú)自完成從芯片設(shè) 計(jì)、制造到封測的全流程，而代工模式下，芯片設(shè)計(jì)、制造和封測由不同廠商共 同完成。根據(jù) IC insights 數(shù)據(jù)，2019 年全球晶圓制造市場中，純晶圓代工占比 為 77.2%，IDM 占比 22.8%。

全球晶圓代工市場持續(xù)快速增長。根據(jù) IC insights 數(shù)據(jù)，2019 年全球晶圓 代工產(chǎn)值為 560 億美元，2022 預(yù)計(jì)可以達(dá)到 792 億美元。受益于 5G 時(shí)代高性能運(yùn)算的廣闊需求，以及 IDM 龍頭 企業(yè)訂單外包趨勢的驅(qū)動(dòng)，晶圓代工行業(yè)快速 擴(kuò)容，臺積電在其 2020Q3 法說會預(yù)測 2020 年全球晶圓代工產(chǎn)值將達(dá)到 682.5 億美元（同比+20%）。

晶圓代工市場臺積電一家獨(dú)大。在純晶圓代工市場中，臺積電是絕對的龍頭， 市場份額超過 50%。根據(jù) Trend Force 數(shù)據(jù)，2021Q1 晶圓代工市場中，臺積電市 場份額為 55%，三星 17%，聯(lián)電 7%，格芯 7%，中芯國際 4%，華虹半導(dǎo)體 1%， 上海華力 1%。

中芯國際是國內(nèi)晶圓代工龍頭。中芯國際是中國大陸規(guī)模占優(yōu)、技術(shù)最先進(jìn) 的集成電路晶圓代工企業(yè)，也是世界第五大集成電路晶圓代工企業(yè)。公司總部位 于上海，擁有全球化的制造和服務(wù)基地，提供 0.35 微米到 14 納米不同技術(shù)節(jié)點(diǎn) 的晶圓代工與技術(shù)服務(wù)。公司 2021Q1 單季度營收創(chuàng)歷史新高，我們認(rèn)為目前半 導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈呈現(xiàn)供需失衡態(tài)勢，下游需求旺盛、上游供給不足，疊加海外疫情二 次反彈等擾動(dòng)因素，半導(dǎo)體全行業(yè)產(chǎn)能緊張狀態(tài)愈演愈烈。

公司作為國內(nèi)最大的 晶圓代工廠，持續(xù)推動(dòng)成熟制程擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，計(jì)劃 2021 年成熟制程 12 寸產(chǎn)線擴(kuò)產(chǎn) 1 萬片，8 寸產(chǎn)線擴(kuò)產(chǎn)不少于 4.5 萬片，同時(shí)擬與深圳政府以合資方式新建 28nm 及以上的 12 寸產(chǎn)線，計(jì)劃月產(chǎn)能 4 萬片，預(yù)計(jì)將于 2022 年開始生產(chǎn)。短期來看， 公司將持續(xù)受益于半導(dǎo)體產(chǎn)能緊張趨勢，業(yè)績確定性較強(qiáng)；中長期來看，電源管理、射頻、圖像信號處理等下游需求強(qiáng)勁，公司加碼成熟制程，有望借行業(yè)高景 氣度東風(fēng)，引領(lǐng)國產(chǎn)化浪潮快速崛起。

IC 設(shè)計(jì)和制造行業(yè)，IC 封測行業(yè)集中度較低。IC 封測行業(yè)由于資金門檻、 技術(shù)門檻相對較低，定制化程度逐漸提升，因此行業(yè)集中度遠(yuǎn)不如代工行業(yè)。我 國大陸 IC 封測行業(yè)主要企業(yè)包括長電科技、通富微電、華天科技、晶方科技等。2021Q1 長電科技、通富微電、華天科技三家市占率合計(jì)為 27%，業(yè)績快速提升。隨著大陸晶圓產(chǎn)能逐漸釋放，本土封測廠商有望大幅收益，受益于國產(chǎn)替代，長 電科技等國內(nèi)封測廠商將充分受益。

END

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