北京銘鎵半導體有限公司
認領(lǐng)
0粉絲
是國內(nèi)率先專業(yè)從事第四代（超寬禁帶）半導體氧化鎵材料開發(fā)及應用產(chǎn)業(yè)化的高科技公司。2020年11月20日，注資1000萬元成立。銘鎵半導體致力于研發(fā)和生產(chǎn)基于新型超寬禁帶半導體材料氧化鎵的高質(zhì)量單晶與外延襯底、高靈敏度日盲紫外探測器件、高頻大功率器件等。經(jīng)過探索和努力，初步完成氧化單晶襯底、氧化鎵異質(zhì)/同質(zhì)外延襯底生產(chǎn)和研發(fā)平臺的構(gòu)建。申請20余項專利，為全國100多家從事氧化鎵后端器件開發(fā)的研究機構(gòu)和企業(yè)客戶提供上游材料保障，急速推進和增強我國在第四代半導體材料的國際產(chǎn)業(yè)地位和核心競爭力。
簡介
是國內(nèi)率先專業(yè)從事第四代（超寬禁帶）半導體氧化鎵材料開發(fā)及應用產(chǎn)業(yè)化的高科技公司。2020年11月20日，注資1000萬元成立。銘鎵半導體致力于研發(fā)和生產(chǎn)基于新型超寬禁帶半導體材料氧化鎵的高質(zhì)量單晶與外延襯底、高靈敏度日盲紫外探測器件、高頻大功率器件等。經(jīng)過探索和努力，初步完成氧化單晶襯底、氧化鎵異質(zhì)/同質(zhì)外延襯底生產(chǎn)和研發(fā)平臺的構(gòu)建。申請20余項專利，為全國100多家從事氧化鎵后端器件開發(fā)的研究機構(gòu)和企業(yè)客戶提供上游材料保障，急速推進和增強我國在第四代半導體材料的國際產(chǎn)業(yè)地位和核心競爭力。
基本信息
注冊資本
1704.881653萬人民幣
成立日期
2020-11-20
品牌信息
銘鎵半導體
是國內(nèi)率先專業(yè)從事第四代（超寬禁帶）半導體氧化鎵材料開發(fā)及應用產(chǎn)業(yè)化的高科技公司。2020年11月20日，注資1000萬元成立。銘鎵半導體致力于研發(fā)和生產(chǎn)基于新型超寬禁帶半導體材料氧化鎵的高質(zhì)量單晶與外延襯底、高靈敏度日盲紫外探測器件、高頻大功率器件等。經(jīng)過探索和努力，初步完成氧化單晶襯底、氧化鎵異質(zhì)/同質(zhì)外延襯底生產(chǎn)和研發(fā)平臺的構(gòu)建。申請20余項專利，為全國100多家從事氧化鎵后端器件開發(fā)的研究機構(gòu)和企業(yè)客戶提供上游材料保障，急速推進和增強我國在第四代半導體材料的國際產(chǎn)業(yè)地位和核心競爭力。
工商信息
統(tǒng)一社會信用代碼
91110113MA01XE030W
法定代表人
陳政委
地址
北京市順義區(qū)順強路1號1幢1層102室
企業(yè)類型
其他有限責任公司
登記狀態(tài)
存續(xù)
工商注冊號
110113029904616
營業(yè)期限
2020-11-20 至 無固定期限
參保人數(shù)
34
實繳資本
0人民幣
納稅人識別號
91110113MA01XE030W
核準日期
2023-10-26
行業(yè)
科技推廣和應用服務業(yè)
組織機構(gòu)代碼
MA01XE030
登記機關(guān)
北京市順義區(qū)市場監(jiān)督管理局
評價
0.0（滿分 10 分）0 個評分
什么是點評分
圖片
表情
全部評價(
0)
推薦率
100%