赤崎勇（日本科學(xué)家）

人物履歷

1929年1月30日出生于鹿兒島縣知覽町；1946年鹿兒島縣立第二鹿兒島初中畢業(yè)；1952年畢業(yè)于京都大學(xué)理學(xué)部；1959年-1963年名古屋大學(xué)助手，講師，助教授一職；1964年在名古屋大學(xué)獲得博士學(xué)位；1964年就任松下電器產(chǎn)業(yè)東京研究所基礎(chǔ)研究室長(zhǎng)；1981年起任名古屋大學(xué)教授；1992年起任日本名城大學(xué)教授。

研究領(lǐng)域

赤崎勇曾在神戶工業(yè)公司（現(xiàn)富士通公司）和松下電器產(chǎn)業(yè)公司從事科研工作赤崎勇在氮化鎵研究中，首次實(shí)現(xiàn)了氮化鎵的PN結(jié)，為利用氮化鎵材料制造藍(lán)色發(fā)光二極管奠定了基礎(chǔ)低溫沉積緩沖層技術(shù)的高質(zhì)量的制備氮化鎵結(jié)晶成功（1986年）p型氮化鎵的結(jié)晶化成功，氮化鎵的pn結(jié)的青色發(fā)光二極管（1989年）實(shí)現(xiàn)從氮化鎵的室溫中紫外光誘導(dǎo)成功釋放（1990年）氮化鎵/GalnN量子井電流注入誘導(dǎo)放出的觀測(cè)成功（1995年）

主要著作

電氣和電子材料（1985年9月，朝倉(cāng)書店）III-V族化合物半導(dǎo)體（1994年5月，培風(fēng)館）青色發(fā)光設(shè)備的魅力―廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域打開（1997年4月，工業(yè)調(diào)查會(huì)）III族氮化物半導(dǎo)體（1999年12月，培風(fēng)館）

榮譽(yù)記錄

1989年日本晶體生長(zhǎng)學(xué)會(huì)論文獎(jiǎng)1991年中日文化獎(jiǎng)1994年光電子會(huì)議特別獎(jiǎng)1994年日本學(xué)會(huì)創(chuàng)立20周年紀(jì)念晶體生長(zhǎng)技術(shù)貢獻(xiàn)獎(jiǎng)1995年化合物半導(dǎo)體國(guó)際研討會(huì)獎(jiǎng)1995年HeinrichWelkerGoldMedal1996年IEEE激光和電子光學(xué)協(xié)會(huì)的工程成就獎(jiǎng)1996年紫綬獎(jiǎng)?wù)?998年井上春成獎(jiǎng)1998年勞戴斯獎(jiǎng)1998年應(yīng)用物理學(xué)會(huì)會(huì)志獎(jiǎng)1998年IEEE杰克A.莫爾頓獎(jiǎng)1998年英國(guó)排名獎(jiǎng)1999年固態(tài)科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)2000年朝日獎(jiǎng)2000年?yáng)|麗科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)2002年應(yīng)用物理學(xué)會(huì)成就獎(jiǎng)2002年武田獎(jiǎng)2002年藤原獎(jiǎng)2002年三等旭日中綬章勛2003年日本學(xué)術(shù)會(huì)議會(huì)長(zhǎng)獎(jiǎng)2003年SSDM獎(jiǎng)2004年“文化功勞者2009年11月10日京都獎(jiǎng)（尖端技術(shù)領(lǐng)域）2011年IEEE愛迪生獎(jiǎng)牌2011年科學(xué)技術(shù)振興機(jī)構(gòu)知識(shí)產(chǎn)權(quán)特別貢獻(xiàn)獎(jiǎng)2011年文化勛章2014年日本學(xué)士院獎(jiǎng)·恩賜獎(jiǎng)2014年諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)

人物逝世

2021年4月1日上午，赤崎勇因肺炎在名古屋市的醫(yī)院去世，享年92歲。