因政府補貼及稅收優(yōu)惠等政策問題,傳英特爾將推遲2000億美元的產(chǎn)能投資計劃

12月20日消息,據(jù)外媒報導(dǎo),由于美國及歐洲政府補貼和稅收優(yōu)惠等政策問題,英特爾的2000億美元的全球大建晶圓廠的新計劃,可能將會由 2021 年底前推遲到 2022年初公布。
2021 年 3 月,英特爾CEO基辛格(Pat Gelsinger)公布了“IDM 2.0”愿景,在設(shè)立英特爾代工服務(wù)(IFS)部門之后,宣布重新回歸晶圓代工市場。為了加速 IDM 2.0,英特爾宣布投資約 200 億美元在美國亞利桑那州的 Octillo 園區(qū)新建兩座晶圓廠(Fab 52 和 Fab 62)。
對英特爾龐大的產(chǎn)能擴充計劃來說,200 億美元只是一小部分,原計劃整體投資規(guī)模超過 2000 億美元,包括美國和歐洲等地區(qū)的新晶圓廠,以及世界各地升級設(shè)施。近期英特爾就投資 70 億美元在馬來西亞建造新芯片封裝和測試工廠,以加強全球半導(dǎo)體生產(chǎn)能力。
2000億美元的投資計劃原定 2021 年底前公布具體方案,主要為美國和歐洲大規(guī)模建設(shè)專案。但《TomsHardware》報導(dǎo),英特爾將延后到 2022 年初,可能因計劃的復(fù)雜度,要考慮眾多因素的影響,因大規(guī)模投資涉及政府補貼和稅收優(yōu)惠等政策。
英特爾曾宣稱,會在美國興建一座半導(dǎo)體制造中心,擁有 6~8 個半導(dǎo)體生產(chǎn)線,使用英特爾最先進制程(4nm或3 nm制程)和芯片封裝(EMIB 和 Foveros 封裝)設(shè)施,且會有專用發(fā)電廠。每個半導(dǎo)體制造生產(chǎn)線成本斥資 100 億至 150 億美元,基辛格表示計劃投資 1000 億美元。
更早之前的報導(dǎo),英特爾將在歐洲分兩階段興建晶圓廠,第一階段投資約 200 億美元建造兩座晶圓廠,然后再建造六座晶圓廠,最終會有八座晶圓廠,成為價值 1000 億美元的半導(dǎo)體制造基地。這部分計劃還在等與歐盟討論資金補貼與財稅減免計劃。
編輯:芯智訊-林子? 來源:technews
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