12月20日消息，據(jù)外媒報導(dǎo)，由于美國及歐洲政府補貼和稅收優(yōu)惠等政策問題，英特爾的2000億美元的全球大建晶圓廠的新計劃，可能將會由 2021 年底前推遲到 2022年初公布。

2021 年 3 月，英特爾CEO基辛格（Pat Gelsinger）公布了“IDM 2.0”愿景，在設(shè)立英特爾代工服務(wù)（IFS）部門之后，宣布重新回歸晶圓代工市場。為了加速 IDM 2.0，英特爾宣布投資約 200 億美元在美國亞利桑那州的 Octillo 園區(qū)新建兩座晶圓廠（Fab 52 和 Fab 62）。

對英特爾龐大的產(chǎn)能擴充計劃來說，200 億美元只是一小部分，原計劃整體投資規(guī)模超過 2000 億美元，包括美國和歐洲等地區(qū)的新晶圓廠，以及世界各地升級設(shè)施。近期英特爾就投資 70 億美元在馬來西亞建造新芯片封裝和測試工廠，以加強全球半導(dǎo)體生產(chǎn)能力。

2000億美元的投資計劃原定 2021 年底前公布具體方案，主要為美國和歐洲大規(guī)模建設(shè)專案。但《TomsHardware》報導(dǎo)，英特爾將延后到 2022 年初，可能因計劃的復(fù)雜度，要考慮眾多因素的影響，因大規(guī)模投資涉及政府補貼和稅收優(yōu)惠等政策。

英特爾曾宣稱，會在美國興建一座半導(dǎo)體制造中心，擁有 6~8 個半導(dǎo)體生產(chǎn)線，使用英特爾最先進制程（4nm或3 nm制程）和芯片封裝（EMIB 和 Foveros 封裝）設(shè)施，且會有專用發(fā)電廠。每個半導(dǎo)體制造生產(chǎn)線成本斥資 100 億至 150 億美元，基辛格表示計劃投資 1000 億美元。

更早之前的報導(dǎo)，英特爾將在歐洲分兩階段興建晶圓廠，第一階段投資約 200 億美元建造兩座晶圓廠，然后再建造六座晶圓廠，最終會有八座晶圓廠，成為價值 1000 億美元的半導(dǎo)體制造基地。這部分計劃還在等與歐盟討論資金補貼與財稅減免計劃。

編輯：芯智訊-林子? 來源：technews