傳三星將于下周宣布量產(chǎn)3nm工藝，并已有客戶預(yù)定產(chǎn)能

近日，據(jù)韓國媒體報道稱，三星電子有望于下周宣布 3nm 制程工藝的量產(chǎn)，而且據(jù)稱已經(jīng)有客戶訂購了該項(xiàng)制程的產(chǎn)能。如果消息屬實(shí)的話，那么這將意味著三星成功搶在臺積電之前量產(chǎn)了3nm工藝。

在晶圓代工市場，三星一直力圖在先進(jìn)制程的量產(chǎn)進(jìn)度上超越臺積電。去年10月，三星就宣布將搶先臺積電在今年上半年量產(chǎn)3nm工藝。同時，為了在技術(shù)上也能夠超越臺積電，三星也率先將全新的GAA（Gate-all-around，環(huán)繞柵極）架構(gòu)引入到了3nm工藝當(dāng)中。相比之下，臺積電的3nm工藝仍延續(xù)了此前的FinFET（鰭式場效應(yīng)晶體管）架構(gòu)，而量產(chǎn)時間則是在今年下半年。

根據(jù)三星此前透露的數(shù)據(jù)顯示，采用GAA晶體管技術(shù)的 3nm 制程工藝，與目前FinFET架構(gòu)的5nm相比，性能將提升 30%，能耗降可低 50%，邏輯面積效率提升超過45%。

不過，今年2月，三星的4nm、3nm先進(jìn)制程工藝被曝“良率造假”。隨后，根據(jù)韓國媒體Business Post今年4月的爆料顯示，當(dāng)時今年年初三星4nm工藝良率僅35%，相比之下，臺積電4nm制程良率則高達(dá)約70%，這也使得高通將改良版的驍龍8＋ 交給了臺積電4nm代工。而3nm GAA 架構(gòu)制程的良率今年年初時僅10%~20%。

對Business Post的報道，三星隨后駁斥了這種說法，表示良率問題并不存在，量產(chǎn)時間也會照計劃進(jìn)行。

此外，近日，韓國知名芯片分析師、HMC 投資證券公司研究中心主管Greg Roh 接受采訪時表示，三星3nm制程良率提升速度遠(yuǎn)高于市場預(yù)期，新增客戶速度相當(dāng)快。

如果三星真的將于下周宣布 3nm 制程制程工藝的量產(chǎn)的話，那么則意味著三星可能已經(jīng)解決了良率問題。當(dāng)然，也并不能完全排除這只是三星在紙面上的搶先宣布。

另外，根據(jù)三星的計劃，繼3nm GAA工藝量產(chǎn)之后，還將在2023年推出第二代 3nm GAA制程工藝，并在 2025 年量產(chǎn)2nm GAA制程工藝。

Greg Roh預(yù)期，三星晶圓代工業(yè)務(wù)將成長40%左右、高于業(yè)界整體增幅水準(zhǔn)（25%）。Greg Roh還指出，三星應(yīng)收購芯片公司以取得新的增長動力，進(jìn)而提振股價表現(xiàn)。

編輯：芯智訊-浪客劍