三星5nm工藝僅相當(dāng)于臺(tái)積電的7nm？
近一段時(shí)間關(guān)于“高通驍龍888功耗翻車”的爭(zhēng)議不斷，有媒體基于一些驍龍888的測(cè)試數(shù)據(jù)表示，三星5nm工藝的實(shí)際表現(xiàn)僅相當(dāng)于臺(tái)積電7nm工藝。近日，國(guó)外知名科技媒體Anandtech也對(duì)基于三星5nm工藝的驍龍888及三星Exynos 2100進(jìn)行了相關(guān)分析，最終得出的結(jié)論是，三星5nm確實(shí)不如臺(tái)積電的5nm。
以下為相關(guān)譯文：
盡管三星將其去年已量產(chǎn)的工藝節(jié)點(diǎn)稱之為5nm，但其設(shè)計(jì)和特性與其7nm節(jié)點(diǎn)更相似。新節(jié)點(diǎn)的關(guān)鍵新特性是在EUV工藝節(jié)點(diǎn)上重新引入單擴(kuò)散斷裂（SDB），以及工藝單元庫(kù)中的細(xì)微變化。
根據(jù)三星公布的數(shù)據(jù)，其5LPE的功耗比7LPP低20%，或者性能高10%。這些實(shí)際上是要放在上下文中的非常重要的數(shù)字，尤其是當(dāng)我們比較在臺(tái)積電工藝節(jié)點(diǎn)上制造的設(shè)計(jì)時(shí)。
在此前對(duì)于同樣基于三星7LPP工藝節(jié)點(diǎn)的Exynos 990和驍龍765 SoC的測(cè)試當(dāng)中，我們看到Exynos 990和驍龍765的Cortex-A76內(nèi)核在功耗方面的表現(xiàn)非常相似，但是它們落后于基于臺(tái)積電的Cortex-A76內(nèi)核20%到30%。
在這種情況下，三星的5LPE工藝節(jié)點(diǎn)將功率提高了20%，這意味著它們只會(huì)趕上臺(tái)積電的7nm節(jié)點(diǎn)。
今天我們要做一個(gè)有趣的比較，是關(guān)于驍龍865和驍龍888內(nèi)部的Cortex-A55內(nèi)核功耗之間的比較。
這兩個(gè)SoC都具有相同的IP內(nèi)核，它們擁有相同的1.8GHz時(shí)鐘頻率，并且都具有相同的L2緩存量，唯一的不同是它們的制程工藝節(jié)點(diǎn)。
使用SPEC的456.hmmer進(jìn)行測(cè)試，是因?yàn)樗侵饕挥谳^低緩存層次結(jié)構(gòu)中的工作負(fù)載的測(cè)試，因此，我們避免了可能不同的內(nèi)存子系統(tǒng)的任何影響，我們可以看到兩個(gè)SoC的功耗的確幾乎相同，而性能也得分為6.84對(duì)6.81，而驍龍888則相同。
因此，至少乍看之下，我們關(guān)于三星5LPE僅能趕上臺(tái)積電N7 / N7P節(jié)點(diǎn)的功耗和能效的理論似乎是正確的，至少在這些頻率上是如此。
進(jìn)一步有趣的數(shù)據(jù)是Exynos 2100上CPU的電壓曲線。我已經(jīng)提取了兩個(gè)設(shè)備（常規(guī)的S21和S21 Ultra）的頻率電壓表，以上曲線是較小的S21內(nèi)部更好的分箱芯片。
從這代工藝來(lái)說(shuō)，三星似乎已經(jīng)能夠大幅降低這一代5LPE的電壓?，F(xiàn)在，在Cortex-A55內(nèi)核上，這些內(nèi)核在2GHz時(shí)僅需要800mV大電壓，而去年在我們的評(píng)測(cè)中，Exynos 990則需要超過(guò)1050mV的電壓。
同樣，盡管比較并非一帆風(fēng)順，但2.5GHz的Cortex-A78內(nèi)核僅需要862mV，而上一代的Cortex-A76內(nèi)核也需要1050mV。
有趣的是，Cortex-X1內(nèi)核與Cortex-A78內(nèi)核的電壓曲線非常接近：它們彼此幾乎相同，這實(shí)際上與Arm聲稱新X1內(nèi)核具有相同的頻率能力是一致的。作為A78，只有更大并且功耗隨頻率呈線性增加。
三星的頻率表表明，他們已經(jīng)在測(cè)試高達(dá)2.6GHz的A55，以及測(cè)試高達(dá)3.2GHz的X1和A78內(nèi)核，但是這里的電壓要高得多，而且很可能SLSI也無(wú)法達(dá)到類似的芯片產(chǎn)量。
不幸的是，我無(wú)法從搭載驍龍888的三星S21 Ultra中提取數(shù)據(jù)，因此我無(wú)法準(zhǔn)確確定電壓與Exynos 2100相比下降了多少。
我可以確認(rèn)一件事，這兩個(gè)SoC之間存在很大差異，三星確實(shí)確實(shí)為Exynos 2100的Cortex-X1內(nèi)核提供了自己的專用電壓軌和PMIC調(diào)節(jié)器，而驍龍888在X1和A78內(nèi)核之間共享了相同的電壓軌。
從理論上講，這可能意味著在更多的混合線程工作負(fù)載中，Exynos有機(jī)會(huì)獲得比驍龍888更高的電源效率。
總的來(lái)說(shuō)，我希望大家明白的是，盡管三星稱其5LPE工藝節(jié)點(diǎn)為5nm節(jié)點(diǎn)，但可以肯定的是，它的性能表現(xiàn)要比臺(tái)積電的5nm節(jié)點(diǎn)差。通常，我們不太關(guān)心密度，但是性能和功率效率是影響芯片和最終產(chǎn)品體驗(yàn)的關(guān)鍵因素。
來(lái)源：Anandtech
聞泰科技擬收購(gòu)歐菲光攝像頭業(yè)務(wù)資產(chǎn)，或?qū)⑦M(jìn)入蘋(píng)果供應(yīng)鏈！
欣興電子山鶯廠突發(fā)火災(zāi)，全球IC載板供應(yīng)恐受影響
投資現(xiàn)代起亞36億美元？蘋(píng)果Apple Car計(jì)劃最快2月正式簽約
7.67Gbps！聯(lián)發(fā)科全新5G基帶M80發(fā)布：支持Sub-6G及毫米波頻段！
又一玻璃基板大廠突發(fā)事故！面板供應(yīng)缺口加大，價(jià)格或?qū)⒃贊q10～15％
啟動(dòng)“超級(jí)急件”！臺(tái)積電讓車用芯片插隊(duì)生產(chǎn)，恐面臨3大內(nèi)傷！
揭秘小米與摩托羅拉的隔空充電技術(shù)，輻射問(wèn)題將成隱憂？
FF宣布在美借殼上市，未來(lái)5年銷量將超40萬(wàn)輛！吉利與鴻海代工？
華為手機(jī)出貨暴跌超40%，已跌出全球前五？小米受益成全球第三
股價(jià)暴跌21%，歐菲光擬出售廣州得爾塔等4家子公司！或已被踢出蘋(píng)果供應(yīng)鏈
行業(yè)交流、合作請(qǐng)加微信：icsmart01
芯智訊官方交流群：221807116