半導體器件物理

《半導體器件物理》（第3版）這本經(jīng)典著作在半導體器件領域已經(jīng)樹立起了先進的學習和參考典范。此書的第3版保留了重要半導體器件的最為詳盡的知識內(nèi)容，并做了更新和重新組織，反映了當今器件在概念和性能等方面的巨大進展，它可以使讀者快速地了解當今半導體物理和所有主要器件，如雙極、場效應、微波、光子器件和傳感器的性能特點?！栋雽w器件物理》（第3版）專為研究生教材和參考所需設計，新版本包括：以最新進展進行了全面更新；包括了對三維MOSFET、MODFET、共振隧穿二極管、半導體傳感器、量子級聯(lián)激光器、單電子晶體管、實空間轉移器件等新型器件的敘述；對內(nèi)容進行了重新組織和安排；各章后面配備了習題；重新高質量地制作了書中的所有插圖。

施敏（Simon M·Sze） 美國籍，微電子科學技術、半導體器件物理專業(yè)，臺灣交通大學電子工程學系毫微米元件實驗室教授，美國工程院院士。1936年出生。1957年畢業(yè)于臺灣大學。1960年、1963年分別獲得華盛頓大學和斯坦福大學碩士與博士學位。

施敏博士是國際知名的微電子科學技術與半導體器件專家和教育家。他是非揮發(fā)MOS場效應記憶晶體管（MOSFET）的發(fā)明者，這項發(fā)明已成為世界集成電路產(chǎn)業(yè)主導產(chǎn)品之一，90年代初其產(chǎn)值已達100億美元。此外，他還有多項創(chuàng)造性成果，如80年代初首先以電子束制造出線寬為0.15μm MOSFET器件，首先發(fā)現(xiàn)崩潰電壓與能隙的關系，建立了微電子元件最高電場的指標，如此等等。

施敏博士在微電子科學技術著作方面舉世聞名，對半導體元件的發(fā)展和人才培養(yǎng)方面，作出貢獻。他的三本專著已在我國翻譯出版，其中《Physics of ...

施敏（Simon M·Sze） 美國籍，微電子科學技術、半導體器件物理專業(yè)，臺灣交通大學電子工程學系毫微米元件實驗室教授，美國工程院院士。1936年出生。1957年畢業(yè)于臺灣大學。1960年、1963年分別獲得華盛頓大學和斯坦福大學碩士與博士學位。

施敏博士是國際知名的微電子科學技術與半導體器件專家和教育家。他是非揮發(fā)MOS場效應記憶晶體管（MOSFET）的發(fā)明者，這項發(fā)明已成為世界集成電路產(chǎn)業(yè)主導產(chǎn)品之一，90年代初其產(chǎn)值已達100億美元。此外，他還有多項創(chuàng)造性成果，如80年代初首先以電子束制造出線寬為0.15μm MOSFET器件，首先發(fā)現(xiàn)崩潰電壓與能隙的關系，建立了微電子元件最高電場的指標，如此等等。

施敏博士在微電子科學技術著作方面舉世聞名，對半導體元件的發(fā)展和人才培養(yǎng)方面，作出貢獻。他的三本專著已在我國翻譯出版，其中《Physics of Semiconductor Devices》已翻譯成六國文字，發(fā)行量逾百萬冊；他的著作廣泛用作教科書與參考書。由于他在微電子器件及在人才培養(yǎng)方面的貢獻，先后被選為臺灣中央研究院院士和美國國家工程院院士；1991年他得到IEEE電子器件的最高榮譽獎（Ebers獎），稱他在電子元件領域做出了基礎性及前瞻性貢獻。

施敏博士多次來國內(nèi)講學，參加我國微電子器件研討會；他對臺灣微電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，曾提出過有份量的建議。他曾一再表示愿為我國微電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展提供咨詢。

1998年6月當選為中國工程院外籍院士。