臺積電N3e制程進(jìn)展順利，有望提前一個(gè)季度量產(chǎn)
3月7日消息，據(jù)外媒wccftech報(bào)導(dǎo)，外資投行摩根士丹利近日發(fā)布投資報(bào)告，根據(jù)晶圓代工龍頭臺積電退休工程師的社群媒體說法，以及摩根士丹利查訪設(shè)備供應(yīng)商獲得的信息顯示，臺積電第一代3nm制程（N3）的改良型N3e制程進(jìn)展順利，有望提前量產(chǎn)，取得更多訂單。
摩根士丹利稱，臺積電退休工程師在Twitter上表示，臺積電3月底前將結(jié)束N3e制程設(shè)計(jì)流程，代表N3e 將較預(yù)定2023 第三季量產(chǎn)提早一季，預(yù)計(jì)2023年第二季就可量產(chǎn)。N3e的晶體管數(shù)量雖然比第一代3nm制程減少約8%，但仍較5nm制程提升了約60%，且減少了4層EUV 光罩，使N3e將成為臺積電更具成本及生產(chǎn)效率優(yōu)勢的重要節(jié)點(diǎn)。
此前曾有傳聞稱臺積電3nm制程遭遇了瓶頸，使得部分客戶將被迫選擇更為成熟穩(wěn)定的5nm制程，不過該傳聞被臺積電否認(rèn)。此次摩根士丹利的報(bào)告也進(jìn)一步證偽了該傳聞。
臺積電總裁魏哲家曾在2021年第三季法說會上提到，N3e 程性能、良率、功耗都更好，能與處理器大廠英特爾進(jìn)行新芯片生產(chǎn)技術(shù)開發(fā)。第三家有能力開發(fā)此節(jié)點(diǎn)制程的韓國三星，近日則傳出正在調(diào)查公司芯片可能存在的良率“造假”問題。
編輯：芯智訊-林子? 來源：technews
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