英特爾CEO基辛格:英特爾落后臺積電是因為“傲慢與自負”

1月21日消息,據外媒報道,英特爾CEO基辛格(Pat Gelsinger)近日在彭博資訊主辦的“The Year Ahead”論壇中表示,英特爾會落后臺積電與三星電子等勁敵,是因為在領先幾十年后所產生的“傲慢”與“自負”心態(tài),現(xiàn)在不只要急起直追,還要超前。他也敦促美國與歐盟推動把芯片制造業(yè)務帶回本土,呼吁“別浪費了這場危機所帶來的機會”。
基辛格指出,英特爾在領先數(shù)十年后,“有些傲慢,有些自負”,“你知道,會對自己的執(zhí)行力有點自信”,但“英特爾現(xiàn)在正奮起直追,還要大幅超前。我們將在四年內完成五個制程節(jié)點,這是前所未聞的步調水準與執(zhí)行力,所有進度目前都如期、或超前”。
基辛格還透露,他正在游說美國政府擴大對國內的芯片制造業(yè)務的支持,他設定的遠大目標是美國未來十年的芯片產量要占全球的30%,高于目前的約12%,歐盟未來十年的芯片產量占比則要重返20%,也高于現(xiàn)在的9%。
他說,拜登政府必須從新冠肺炎疫情導致斷鏈的情況學到教訓,并且考量80%芯片制造集中在亞洲所衍生出的供應鏈安全影響。他看好歐美推動政府資金協(xié)助建廠的提案,“別浪費了這場危機”,“這對經濟有利,同時攸關國家安全”。
基辛格指出,他近期將宣布英特爾在美國和歐洲制造的拓展計劃。
此前有媒體披露,英特爾計劃在德國設立制造基地,并且在意大利和法國設封測廠。另外,根據俄亥俄州州長一份文件,以及克里佛蘭網站與媒體報導,英特爾預計斥資200億美元在俄亥俄州哥倫布地區(qū)興建一座晶圓廠。
英特爾官網表示,英特爾致力投資制造能力,以滿足對先進半導體不斷成長的需求,并建立更具彈性、全球平衡的供應鏈。英特爾先前強調,有必要在歐洲及美國境內興建更多晶圓廠,以復興半導體制造繼續(xù)下滑的市占率。
去年12月時,逾50家美國企業(yè)的主管呼吁國會領袖,盡速通過520億美元補助與獎勵美國國內芯片制造的“芯片法案”(CHIPS Act),以及另一項鼓勵半導體設計與制造的提案。“芯片法案”去年6月已獲美國參議院通過,卻在眾議院停擺。
編輯:芯智訊-林子
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