尹志堯,男,1944 年生,美國國籍,中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)學(xué)士,加州大學(xué)洛杉磯分 校博士。1984 年至 1986 年,就職于英特爾中心技術(shù)開發(fā)部,擔(dān)任工藝工程師;1986 年至 1991 年,就職于泛林半導(dǎo)體,歷任研發(fā)部資深工程師、研發(fā)部資深經(jīng)理;1991 年至 2004 年,就職于應(yīng)用材料,歷任等離子體刻蝕設(shè)備產(chǎn)品總部首席技術(shù)官、總公司 副總裁及等離子體刻蝕事業(yè)群總經(jīng)理、亞洲總部首席技術(shù)官;2004 年至今,擔(dān)任中微 半導(dǎo)體設(shè)備(上海)股份有限公司董事長及總經(jīng)理?，F(xiàn)任瀾起科技獨(dú)立董事。