海力士
歷史沿革
海力士為原來(lái)的現(xiàn)代內(nèi)存,2001年更名為海力士。
2012年更名SK hynix。
海力士半導(dǎo)體在1983年以現(xiàn)代有限公司成立，在1996年正式在韓國(guó)上市，1999年收購(gòu)LG，2001年將改為(株)海力士半導(dǎo)體,從現(xiàn)代集團(tuán)分離出來(lái)。2004年10月將系統(tǒng)業(yè)務(wù)出售給，成為專業(yè)的存儲(chǔ)器制造商。2012年2月，韓國(guó)第三大財(cái)閥宣布收購(gòu)海力士21.05%的股份從而入主這家內(nèi)存大廠。
2019年9月5日，據(jù)韓國(guó)《中央日?qǐng)?bào)》報(bào)道，在日本政府限制向韓國(guó)出口、、等尖端后，SK海力士設(shè)在中國(guó)無(wú)錫的半導(dǎo)體工廠已經(jīng)完全使用中國(guó)生產(chǎn)的氟化氫取代了日本產(chǎn)品。
2022年8月，媒體報(bào)道，海力士計(jì)劃在美國(guó)新建先進(jìn)廠，預(yù)計(jì)2023年第一季度破土動(dòng)工。
2022年10月27日，海力士同意加入開(kāi)放創(chuàng)新平臺(tái) 3D Fabric 聯(lián)盟，推動(dòng) 3D 半導(dǎo)體發(fā)展。
2023年7月4日，繼 Nvidia 之后，全球多個(gè)科技巨頭都在競(jìng)購(gòu) SK hynix 的第五代高帶寬內(nèi)存 HBM3E；HBM3E 是當(dāng)前 HBM3 的下一代產(chǎn)品，而 SK 海力士是目前世界上唯一一家能夠大規(guī)模生產(chǎn) HBM3 芯片的公司，因此其他廠商想要購(gòu)買 HBM3E 就只能找它。
2023年12月7日，海力士公司表示，已成立一個(gè)名為AI Infra的新部門，負(fù)責(zé)人工智能（AI）半導(dǎo)體相關(guān)業(yè)務(wù)，這是該公司將更多地專注于高需求高端芯片的戰(zhàn)略的一部分。
2024年4月3日，SK海力士表示，將投資約38.7億美元在美國(guó)印第安納州建設(shè)芯片工廠。新工廠將包括一條先進(jìn)的芯片生產(chǎn)線，用于批量生產(chǎn)下一代HBM芯片。
2024年7月27日，SK海力士將投資約9.4萬(wàn)億韓元建設(shè)韓國(guó)龍仁半導(dǎo)體集群首座工廠。
2024年7月30日，SK海力士宣布，公司推出了全球最高性能的新一代顯存產(chǎn)品GDDR7。
市場(chǎng)概況
市場(chǎng)地位
在韓國(guó)有4條8英寸晶圓生產(chǎn)線和一條12英寸生產(chǎn)線，在有一條8英寸生產(chǎn)線。2004年及2005年全球DRAM處于第二位，中國(guó)市場(chǎng)占有率處于第一位。在世界各地有銷售法人和辦事處，共有員工15000人.海力士（Hynix）半導(dǎo)體作為無(wú)形的基礎(chǔ)設(shè)施，通過(guò)半導(dǎo)體，竭盡全力為客戶創(chuàng)造舒適的。海力士半導(dǎo)體致力生產(chǎn)以DRAM和NAND Flash為主的半導(dǎo)體產(chǎn)品。
市場(chǎng)前景
海力士半導(dǎo)體以超卓的技術(shù)和持續(xù)不斷的研究投資為基礎(chǔ)，每年都在開(kāi)辟已步入納米級(jí)細(xì)技術(shù)領(lǐng)域的的嶄新領(lǐng)域。另外，海力士半導(dǎo)體不僅標(biāo)榜行業(yè)最高水平的，2006年更創(chuàng)下世界第七位，步入2萬(wàn)億韓元的集團(tuán)等，正在展現(xiàn)意義非凡的增長(zhǎng)勢(shì)力。海力士半導(dǎo)體不僅作為給注入新鮮血液的發(fā)展動(dòng)力，完成其使命，同時(shí)不斷追求與社會(huì)的相生經(jīng)營(yíng)。海力士半導(dǎo)體為發(fā)展成為令顧客和股東滿意的先導(dǎo)企業(yè)，將盡心盡責(zé)，全力以赴。
發(fā)展過(guò)程
2013年11月15日海力士在增資25億美元，此次簽約的五期項(xiàng)目將從29納米提升至25納米級(jí),并爭(zhēng)取提升 至10納米級(jí),預(yù)計(jì)到2016年完成該項(xiàng)技術(shù)升級(jí)。
2013年09月4日下午3:30左右，無(wú)錫Hynix廠房起火，原因未知。
2012年02月韓國(guó)第三大財(cái)閥入主Hynix，更名SKhynix。
2009年05月 成立市合作社
04月 世界最先開(kāi)發(fā)低耗電-高速(Low Power-High Speed) Mobile 1Gb DRAM
03月 世界最先發(fā)表8GB 2-Rank DDR3 R-
02月世界最先開(kāi)發(fā)44nm DRAM
01月 世界最先獲得關(guān)于以4GB ECC UDIMM用模塊為基礎(chǔ)的超高速DDR3的產(chǎn)品認(rèn)證。
2008年 12月 世界最先開(kāi)發(fā)2Gb Mobile DRAM
11 月引進(jìn)業(yè)界最高速7Gbps、1Gb Graphics DRAM
08月 清州第三工廠的300mm組裝廠竣工
世界最先推出使用MetaRAMtm 技術(shù)的16 GB 2-Ran kR-DIMM
為引進(jìn)嶄新而創(chuàng)新性閃存產(chǎn)品及技術(shù)的Numonyx及海力士的努力擴(kuò)大
05月 與ProMOS公司簽署關(guān)于加強(qiáng)長(zhǎng)期戰(zhàn)略性合作的修改案
04月 為撤回對(duì)海力士DRAM的相計(jì)關(guān)稅的EU理事會(huì)的措施表示歡迎開(kāi)發(fā)出世界最高速M(fèi)obile
02月 引進(jìn)2-Rank 8GB RDIMM
01月 簽署關(guān)于在對(duì)下一代不存儲(chǔ)器技術(shù)的共同程序上進(jìn)行合作的合同
2008年發(fā)表00MHz、1GB/2GB 產(chǎn)品認(rèn)證
2007年12月成功發(fā)行國(guó)際可(global convertible notes)
11月做出判決海力士進(jìn)口芯片相關(guān)一案，日本敗訴。與SiliconFile公司簽署CIS事業(yè)合作協(xié)議，獲得對(duì) 1Gb DDR2 DRAM的英特爾產(chǎn)品認(rèn)證，業(yè)界最先開(kāi)發(fā)1Gb DRAM
10月與Ovonyx公司簽署關(guān)于PRAM的技術(shù)及與環(huán)境運(yùn)動(dòng)聯(lián)合(韓國(guó))簽署關(guān)于在環(huán)境管理上進(jìn)行合作的合同
09月以24層疊芯片(stacked chips)，世界最先開(kāi)發(fā)NAND閃存MCP
08月開(kāi)發(fā)出業(yè)界最高速、最小型1Gb Mobile DRAM
07月發(fā)表企業(yè)中長(zhǎng)期
05月業(yè)界最先獲得關(guān)于DDR3 DRAM的英特爾產(chǎn)品認(rèn)證
04月DOC H3開(kāi)始大量生產(chǎn)在韓國(guó)清州300mm設(shè)施開(kāi)工實(shí)現(xiàn)最高水平的
03月開(kāi)發(fā)出世界最高速ECC Mobile DRAM發(fā)表“生態(tài)標(biāo)記(ECO Mark)”與Toshiba簽署半導(dǎo)體特許商戶許可證及
與就特許商戶許可證合同達(dá)成協(xié)議及簽署關(guān)于對(duì)x4技術(shù)建立合作公司的(MOU)金鐘甲就任新任 代表理事、社長(zhǎng)
01月開(kāi)發(fā)出以“級(jí)封裝(Wafer Level Package)”技術(shù)為基礎(chǔ)的超高速存儲(chǔ)器模塊
2006年創(chuàng)下最高業(yè)績(jī)及利潤(rùn)
2006年12月業(yè)界最先發(fā)表60nm 1Gb DDR2 800MHz基礎(chǔ)模塊，開(kāi)發(fā)出世界最高速200MHz 512Mb Mobile DRAM
10月創(chuàng)下創(chuàng)立以來(lái)最高業(yè)績(jī)，通過(guò)海力士半導(dǎo)體(株)的竣工，構(gòu)建國(guó)際性
09月300mm研究生產(chǎn)線下線
03月業(yè)界最先獲得英特爾對(duì)80nm 512Mb DDR2 DRAM的產(chǎn)品認(rèn)證
01月發(fā)表與M-Systems公司的DOC H3共同(閃存驅(qū)動(dòng)器內(nèi)置的新型DiskOnChip)
2005年12月 世界最先開(kāi)發(fā)512Mb 、業(yè)界及最高密度Graphics DRAM
11月 業(yè)界最先推出標(biāo)準(zhǔn)8GB DDR2 R-DIMM
07月 提前從完善協(xié)議中抽身而出
04月 在中國(guó)江蘇無(wú)錫舉行開(kāi)工典禮
03月 發(fā)布2004年，實(shí)現(xiàn)高
01月 與中國(guó)臺(tái)灣簽訂戰(zhàn)略性合作伙伴協(xié)議
2004年11月 與公司(STMicroelectronics)簽訂關(guān)于在中國(guó)合資建廠的協(xié)議
08月 與中國(guó)省無(wú)錫市簽訂關(guān)于在中國(guó)建廠合作協(xié)議
07月 獲得公司成立以來(lái)最大的季度
06月 簽訂非內(nèi)存事業(yè)營(yíng)業(yè)權(quán)
03月 行業(yè)首次開(kāi)發(fā)超高速 550MHz 1G DDR2 SDRAM獲得Intel的認(rèn)證
02月 成功開(kāi)發(fā)NAND閃存
2003年12月 宣布與PromMOS簽署長(zhǎng)期的戰(zhàn)略性MOU
08月 宣布發(fā)表在DRAM行業(yè)的第一個(gè)1Gb DDR2問(wèn)世。
07月 宣布在世界上首次發(fā)表DDR500
06月 512M 產(chǎn)品在DRAM業(yè)內(nèi)首次獲得因特爾的認(rèn)證
05月 采用0.10微米投入生產(chǎn)，超低功率256Mb 投入批量生產(chǎn)
04月 宣布與STMicroelectronics公司簽定協(xié)議NAND閃存
03月 發(fā)表世界上第一個(gè)商用級(jí)的mega-level FeRAM
2002年11月 出售HYDIS，
10月 開(kāi)發(fā)0.10微米、512MB DDR
08月 在世界上首次開(kāi)發(fā)大寬帶256MB的DDR SDRAM
06月 在世界上首次將256MB的SDR SDRAM運(yùn)用于高
03月 開(kāi)發(fā)1G DDR
2001年08月 開(kāi)發(fā)世界上速度最快的128MB DDR SDRAM
08月 完成與現(xiàn)代集團(tuán)的最終分離
07月 剝離CDMA設(shè)備制造業(yè)務(wù)‘Hyundai Syscomm’
05月 剝離通信服務(wù)業(yè)務(wù)‘Hyundai CuriTel’
剝離網(wǎng)絡(luò)業(yè)務(wù)‘Hyundai Networks’
03月 公司更名為“Hynix有限公司”
2000年08月 剝離顯示屏銷售業(yè)務(wù)‘Hyundai Image Quest’
04月 剝離電子線路設(shè)計(jì)業(yè)務(wù)‘Hyundai Autonet’
1999年10月 合并半導(dǎo)體有限公司，成立現(xiàn)代半導(dǎo)體株式會(huì)社
03月 出售專業(yè)的半導(dǎo)體組裝公司（ChipPAC）
1998年09月 開(kāi)發(fā)64M的DDR SDRAM
1997年05月 在世界上首次開(kāi)發(fā)1G SDRAM
1996年12月 公司
1989年11月 完成FAB III
09月 開(kāi)發(fā)4M的DRAM
1988年11月 在歐洲當(dāng)?shù)卦O(shè)立公司（HEE）
01月 開(kāi)發(fā)1M的DRAM
1986年06月 舉行第一次員工文化展覽會(huì)“Ami Carnical”
04月 設(shè)立半導(dǎo)體研究院
1985年10月 開(kāi)始批量生產(chǎn)256K的DRAM
1984年09月 完成FAB II-A
1983年02月創(chuàng)立現(xiàn)代電子株式會(huì)社，公司概要展望商業(yè)領(lǐng)域主要?dú)v程可持續(xù)經(jīng)營(yíng)，持續(xù)經(jīng)營(yíng)報(bào)告書(shū)，倫理經(jīng)營(yíng)宣言倫 理綱領(lǐng)組織介紹實(shí)踐體系產(chǎn)業(yè)保安方針在線舉報(bào)
2021年11月3日，韓國(guó)先驅(qū)報(bào)報(bào)道，周三表示，韓國(guó)前兩大芯片制造商SK海力士預(yù)計(jì)將在11月8日最后期限前向提交其芯片業(yè)務(wù)信息。
2021年11月9日，韓聯(lián)社發(fā)布消息，SK海力士向美國(guó)提交有關(guān)其芯片業(yè)務(wù)的信息，但隱瞞了一些被視為的關(guān)鍵數(shù)據(jù)。
SK海力士宣布，已于2021年12月30日?qǐng)A滿完成了收購(gòu)英特爾NAND閃存及SSD業(yè)務(wù)案的第一階段。
2022年1月24日，彭博援引韓國(guó)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)稱，投行業(yè)內(nèi)消息人士表示，芯片設(shè)計(jì)公司SiFive將進(jìn)行2000億韓元（1.67億美元）新一輪融資，SK海力士將投1000億韓元。
2022年2月，據(jù) SK 海力士官方消息，SK 海力士今日宣布，公司已開(kāi)發(fā)出具備計(jì)算功能的下一代內(nèi)存“PIM（processing-in-memory，內(nèi)存中處理）”。
2022年5月16日，SK海力士·英特爾DMTM半導(dǎo)體 （大連）有限公司非易失性存儲(chǔ)器項(xiàng)目在大連開(kāi)工。
2022年10月23日，SK海力士向巨頭訂購(gòu)了下一代半導(dǎo)體設(shè)備 High-NA （EUV）曝光設(shè)備。韓國(guó)半導(dǎo)體制造商也在準(zhǔn)備引進(jìn)能夠?qū)崿F(xiàn) 2nm工藝的設(shè)備。
2024年1月25日，SK海力士在官網(wǎng)發(fā)布截至2023年12月31日的2023財(cái)年及第四季度財(cái)務(wù)報(bào)告。公司2023財(cái)年第四季度營(yíng)收為11.3055萬(wàn)億韓元，同比增加47%；凈虧損為1.3795萬(wàn)億韓元，同比減虧63%。
企業(yè)事件
2013年9月4日下午3點(diǎn)半左右，海力士公司的生產(chǎn)車間發(fā)生氣體泄漏，引發(fā)車間屋頂管道的著火。無(wú)錫消防200多名官兵趕至現(xiàn)場(chǎng)撲救，截至當(dāng)日18點(diǎn)，明火已全部撲滅。從車間疏散出人員中，1人受輕微外傷，另有10余人去醫(yī)院進(jìn)行檢查，均無(wú)大礙?；馂?zāi)發(fā)生后，無(wú)錫市委主要領(lǐng)導(dǎo)作出批示，市政府和無(wú)錫新區(qū)領(lǐng)導(dǎo)第一時(shí)間趕赴現(xiàn)場(chǎng)組織開(kāi)展滅火救援，市環(huán)保部門迅速組織對(duì)企業(yè)周邊環(huán)境、情況進(jìn)行檢測(cè)。仍在調(diào)查中。
2013年9月初發(fā)生在無(wú)錫新區(qū)SK海力士的一場(chǎng)大火已經(jīng)過(guò)去了幾個(gè)月，這場(chǎng)大火盡管沒(méi)有人員傷亡，但其影響卻很大，比如在國(guó)內(nèi)芯片市場(chǎng)和方面。
12月19日，有險(xiǎn)企人士向《每日經(jīng)濟(jì)新聞(微博)》記者透露，SK海力士大火報(bào)損約10億美元，估損將達(dá)9億美元，這將是國(guó)內(nèi)最大的一筆保險(xiǎn)賠案。
據(jù)《》此前報(bào)道，SK海力士5家承保公司中各自的份額分別為：現(xiàn)代保險(xiǎn)占比50%，占比35%，、、樂(lè)愛(ài)金財(cái)險(xiǎn)各占5%。
上述險(xiǎn)企人士進(jìn)一步介紹稱，該案件各家保險(xiǎn)公司基本上都辦理了，主要涉及的包括：韓國(guó)再保險(xiǎn)、、等，而這個(gè)案例會(huì)影響到直保和再保險(xiǎn)財(cái)險(xiǎn)公司的，同時(shí)也將會(huì)導(dǎo)致來(lái)年費(fèi)率以及再保險(xiǎn)費(fèi)率的上漲。
SK海力士大火的首席承保人是財(cái)險(xiǎn)，國(guó)內(nèi)的人保財(cái)險(xiǎn)和太平洋產(chǎn)險(xiǎn)等13家公司都險(xiǎn)都參與其中。SK海力士火災(zāi)的最終賠付金額已確認(rèn)在9億美元，這是國(guó)內(nèi)保險(xiǎn)史上的最大一筆理賠案。保險(xiǎn)財(cái)產(chǎn)處處長(zhǎng)王雷介紹，現(xiàn)在的進(jìn)展情況是正在運(yùn)行之中，已經(jīng)預(yù)付了大約3億美金。13家大型保險(xiǎn)公司都在為這起火災(zāi)承擔(dān)賠付，這也將推高2014年的相關(guān)保費(fèi)。
2018年5月31日，中國(guó)反壟斷機(jī)構(gòu)對(duì)、海力士、位于北京、上海、深圳的辦公室展開(kāi)突然調(diào)查，三大巨頭有礙公平競(jìng)爭(zhēng)的行為以及部分企業(yè)的舉報(bào)推動(dòng)了中國(guó)反壟斷機(jī)構(gòu)發(fā)起此次調(diào)查。
根據(jù)美光、三星、海力士統(tǒng)計(jì)，2017財(cái)年，三家公司的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)在中國(guó)分別為103.88億美元、253.86億美元、89.08億美元，總計(jì)446.8億美元，同比2016財(cái)年的321億美元增長(zhǎng)39.16%。
2021年6月23日，《》消息SK海力士正尋求8英寸晶圓代工廠Key Foundry。
2021年12月22日，市場(chǎng)監(jiān)管總局收到SK海力士收購(gòu)公司部分業(yè)務(wù)案的反壟斷申報(bào)。經(jīng)審查，市場(chǎng)監(jiān)管總局決定附加限制性條件批準(zhǔn)此項(xiàng)經(jīng)營(yíng)者集中。
2023年10月9日，韓國(guó)總統(tǒng)辦公室經(jīng)濟(jì)首席秘書(shū)在首爾龍山總統(tǒng)府舉行記者會(huì)時(shí)表示，決定向三星電子和SK海力士在華工廠提供美國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備，無(wú)需其它許可。
所獲榮譽(yù)
2019年10月，發(fā)布，海力士位列第28位。
2020年5月13日，SK海力士名列2020福布斯全球企業(yè)2000強(qiáng)榜第296位。
2021年5月，SK海力士位列“2021”第173位。
2021年9月23日，SK海力士位列2021年《》排行榜第419位。
2022年2月14日，在韓國(guó)人最想入職的企業(yè)排行榜中，位列第10。
2022年，排名第373位。
2022年12月9日，位列《》第156位。
2023年8月，以34567（百萬(wàn)美元）營(yíng)收，入選2023年《財(cái)富》世界500強(qiáng)排行榜，排名第437位。
碳化硅項(xiàng)目的投資
SK海力士無(wú)錫投資公司已入股SiC廠商泰科天潤(rùn)，參與了其D輪融資，SK海力士無(wú)錫公司是SK海力士子公司。這是SK海力士在中國(guó)第一筆相關(guān)項(xiàng)目的投資。
企業(yè)任職
2022年12月27日，三星、SK、LG 等韓國(guó)大企業(yè)集團(tuán)，在年底通常都會(huì)對(duì)進(jìn)行調(diào)整，旗下公司的高管也進(jìn)行相應(yīng)的調(diào)整，以更好的適應(yīng)，推動(dòng)公司的發(fā)展。
SK 旗下的制造商 SK 海力士，就進(jìn)行了架構(gòu)調(diào)整，團(tuán)隊(duì)數(shù)量在最近一次的調(diào)整中大幅減少，并任命年輕的管理者出任團(tuán)隊(duì)領(lǐng)導(dǎo)者。SK 海力士將團(tuán)隊(duì)數(shù)量削減了 20%-30%，例如此前需要 5 個(gè)團(tuán)隊(duì)的業(yè)務(wù)，已經(jīng)削減到了 4 個(gè)。在的調(diào)整方面，他們新提拔了多位 30-40 歲的年輕管理者，出任團(tuán)隊(duì)的領(lǐng)導(dǎo)。對(duì)于年齡較大的領(lǐng)導(dǎo)者，SK 海力士在此次的調(diào)整中也提供了退休補(bǔ)償，但大部分拒絕了公司的補(bǔ)償。
SK 海力士在組織架構(gòu)調(diào)整中削減團(tuán)隊(duì)數(shù)量，并調(diào)整管理層，反映了當(dāng)前全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的不利局面，在三季度的營(yíng)收與雙雙大幅下滑之后，預(yù)計(jì) SK 海力士四季度可能會(huì)出現(xiàn)虧損，他們上一次出現(xiàn)季度運(yùn)營(yíng)虧損，還是在 2012 年的三季度，已有近 10 年的時(shí)間。