投資50億美元！聯(lián)電宣布在新加坡新建12吋晶圓廠，主攻22/28nm制程

2月25日消息，聯(lián)電董事會(huì)于昨日宣布斥資50億美元在新加坡新建一座12吋晶圓廠，第一期月產(chǎn)能規(guī)劃為3萬片，主攻22/28nm制程，預(yù)計(jì)將于2024年底開始量產(chǎn)。

自2020年疫情發(fā)生以來，由于全球晶圓制造產(chǎn)能持續(xù)緊缺，再加上全球地緣政治不確定性上升，臺(tái)積電、英特爾、美光、三星等半導(dǎo)體大廠均啟動(dòng)了全球布局策略，宣布在亞洲、美洲、歐洲等地新建或評(píng)估設(shè)廠。

業(yè)界指出，聯(lián)電目前在臺(tái)灣、大陸、新加坡及日本皆設(shè)有生產(chǎn)據(jù)點(diǎn)，近來隨著客戶分散制造風(fēng)險(xiǎn)意識(shí)濃厚，加上整合元件廠（IDM）委外規(guī)模只增不減，聯(lián)電開始著手規(guī)劃往IDM大廠聚集地東南亞地區(qū)靠攏，去年多次傳出聯(lián)電有規(guī)劃在新加坡加碼建廠。

聯(lián)電表示，5G、物聯(lián)網(wǎng)與車用電子大趨勢(shì)帶動(dòng)22/28nm制程需求前景強(qiáng)勁，因此新廠擴(kuò)增的產(chǎn)能也簽訂長期供貨合約，以確保2024年后對(duì)客戶產(chǎn)能的供應(yīng)，并協(xié)助緩解22/28nm晶圓產(chǎn)能結(jié)構(gòu)性的短缺。

據(jù)介紹，聯(lián)電此次將在新加坡Fab12i廠區(qū)擴(kuò)建一座晶圓廠，主要生產(chǎn)22/28nm特殊制程技術(shù)，如嵌入式高壓解決方案、嵌入式非揮發(fā)性記憶體、RFSOI及混合信號(hào)CMOS等，在智能手機(jī)、智慧家庭設(shè)備和電動(dòng)車等廣泛應(yīng)用上至為關(guān)鍵。

聯(lián)電董事長洪嘉聰指出，新加坡Fab12i廠是聯(lián)電的旗艦創(chuàng)新中心，與客戶合作新的研發(fā)項(xiàng)目，并將在新廠上線后立刻投入生產(chǎn)，另外，近期半導(dǎo)體供應(yīng)短缺已明確點(diǎn)出半導(dǎo)體供應(yīng)鏈必須提高透明度，共同降低風(fēng)險(xiǎn)，也是促成聯(lián)電投資新加坡新廠的原因之一。

洪嘉聰強(qiáng)調(diào)，此次擴(kuò)廠投資是與重要客戶朝共同目標(biāo)緊密合作的成果，將會(huì)在提升供應(yīng)鏈產(chǎn)能與創(chuàng)造客戶長期成功上，盡最大努力。

聯(lián)電現(xiàn)階段主要生產(chǎn)據(jù)點(diǎn)為臺(tái)灣竹科與南科，以及大陸蘇州和艦與廈門聯(lián)芯，海外則落腳新加坡與日本。聯(lián)電在新加坡已有一座12吋廠為旗下12i廠，月產(chǎn)能5萬片，主力制程為0.13μm到40nm，這座廠也是聯(lián)電的特殊技術(shù)中心，提供客戶多樣化應(yīng)用產(chǎn)品所需IC；和艦為8吋晶圓廠，月產(chǎn)能則約8萬片；聯(lián)芯為12吋廠，去年第3季月產(chǎn)能已達(dá)第一階段滿載2.75萬片規(guī)模，目前提升營運(yùn)效率為主；日本USJC的12吋晶圓廠月產(chǎn)能約3.6 萬片。

由于聯(lián)電在新加坡投入12吋晶圓制造廠營運(yùn)已超過20年，對(duì)當(dāng)?shù)卣鞑?、廠區(qū)運(yùn)營、客戶關(guān)系維系等已有相當(dāng)豐富的經(jīng)驗(yàn)，因此蓋新廠不僅能很快進(jìn)入狀況，同時(shí)也可以達(dá)到分散風(fēng)險(xiǎn)之效，持續(xù)擴(kuò)大規(guī)模，可謂利大于弊。

編輯：芯智訊-林子? ?來源：經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)